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821. GaN器件大信號模型在MMIC成品率設(shè)計中的應(yīng)用研究
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822. 常規(guī)型AlGaN/GaN HEMT器件電應(yīng)力及輻射應(yīng)力可靠性研究
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823. AlGaN/GaN MIS-HEMT功率開關(guān)器件電學(xué)特牲研究
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824. PIN結(jié)構(gòu)GaN/AlGaN基探測器的Alpha粒子響應(yīng)特性研究
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825. 基于子能帶間躍遷的AlGaN/GaN基多量子阱ISBT紅外探測研究
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826. GaN基梯度摻雜超結(jié)電流孔徑垂直電子晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計
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827. 局域表面等離激元對InGaN/GaN多量子阱發(fā)光效率的影響
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828. 高光效大功率藍光InGaN/GaN LED芯片制造及其漏電機理研究
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829. InGaN/GaN多量子阱電池的壘層結(jié)構(gòu)優(yōu)化及其光學(xué)特性調(diào)控
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830. Performance improvement of InGaN/GaN multiple quantum well v
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