InGaN基量子阱作為太陽電池器件的有源區(qū)時,壘層厚度設計以及實際生長對其光學特性的影響極為重要。采用金屬有機化學氣相沉積（MOVCD）技術(shù),在藍寶石襯底上外延生長了壘層厚度較厚的InGaN/GaN多量子阱,使用高分辨X射線衍射和變溫光致發(fā)光譜研究了壘層厚度對InGaN多量子阱太陽電池結(jié)構(gòu)的界面質(zhì)量、量子限制效應及其光學特性的影響。較厚壘層的InGaN/GaN多量子阱的周期重復性和界面品質(zhì)較好,這可能與壘層較薄時對量子阱的生長影響有關。同時,厚壘層InGaN/GaN多量子阱的光致發(fā)光光譜峰位隨溫度升高呈現(xiàn)更為明顯的"S"形（紅移-藍移-紅移）變化,表現(xiàn)出更強的局域化程度和更高的內(nèi)量子效率。 

【文章來源】：半導體光電. 2017,38(05)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實驗
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論



本文編號：3568323