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811. 應(yīng)變及摻雜對(duì)GaN及InN光電性質(zhì)影響的第一性原理研究
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812. 反應(yīng)動(dòng)力學(xué)參數(shù)變化對(duì)MOVPE生長(zhǎng)GaN的反應(yīng)路徑模擬的影響
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813. GaN基薄膜LED倒裝芯片表面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及光萃取效率研究
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814. 基于GaN晶體管的高頻全橋逆變器波形補(bǔ)償技術(shù)研究
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815. 超薄玻璃襯底上高質(zhì)量ZnO緩沖層與GaN薄膜的低溫生長(zhǎng)
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816. 基于GaN的高頻高升壓比改進(jìn)型SEPIC變換器研究
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817. 基于寬禁帶半導(dǎo)體GaN器件的全固態(tài)射頻電源研究
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818. InGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的側(cè)向外延生長(zhǎng)及納米線發(fā)光器件研究
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819. 4-inch藍(lán)寶石圖形襯底上GaN基白光LED制備及表征
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820. AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件中子位移損傷效應(yīng)及機(jī)理
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