在4-inch藍(lán)寶石圖形襯底上,基于InGaN/GaN多量子阱結(jié)構(gòu)制備了藍(lán)光LED芯片,并通過(guò)與釔鋁石榴石黃色熒光粉(YAG∶Ce³⁺)結(jié)合,封裝成白光LED器件。簡(jiǎn)要介紹了外延生長(zhǎng)和芯片工藝及封裝流程,并對(duì)材料特性及器件性能進(jìn)行了表征。外延片表面形貌良好,藍(lán)光外延片熒光光譜（PL）顯示峰值波長(zhǎng)為442 nm。對(duì)封裝后白光芯片進(jìn)行電學(xué)特性測(cè)試,得出其開(kāi)啟與限流電壓分別為2.7 V與3.6 V。此外,電致發(fā)光光譜（EL）含有兩個(gè)主要的發(fā)光峰,分別是440 nm的藍(lán)光峰以及540 nm的黃綠光峰,而隨著注入電流的增加,藍(lán)光峰位先藍(lán)移后紅移,黃綠光峰位先紅移后藍(lán)移再紅移。本文中相關(guān)的芯片制備及表征技術(shù)將對(duì)固態(tài)照明研究起到一定的促進(jìn)作用。 

【文章來(lái)源】：發(fā)光學(xué)報(bào). 2020,41(07)北大核心EICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【文章目錄】：
1 引 言
2 實(shí) 驗(yàn)
3 結(jié)果與討論
4 結(jié) 論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3162906