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711. 基于LPCVD-SiNx介質(zhì)的GaN基器件界面特性研究
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712. Ka波段GaN HEMT單片集成單刀雙擲開關(guān)的設(shè)計(jì)
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713. 表面等離激元提高GaN基材料與器件發(fā)光效率研究
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714. GaN基Ka波段HEMT器件及MMIC功率放大器研究
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715. 基于紅外測溫的GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)函數(shù)法熱阻測量
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716. GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長、物性研究和器件應(yīng)用
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717. 高壓大功率GaN器件開關(guān)過程振蕩問題分析及應(yīng)用設(shè)計(jì)研究
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718. 不同支撐載體對GaN基LED薄膜應(yīng)力及發(fā)光性能的影響
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719. 紫外光照射下GaN的電化學(xué)性質(zhì)及CMP應(yīng)用
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720. 影響GaN基藍(lán)光LED能帶結(jié)構(gòu)與光譜特性關(guān)系的仿真研究
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