本文選題：熱阻測(cè)量 + 結(jié)構(gòu)函數(shù)　； 參考：《電子器件》2017年05期

【摘要】：為了準(zhǔn)確的測(cè)量GaN HEMT的熱阻參數(shù),在兩種不同的管殼接觸熱阻條件下,利用經(jīng)過(guò)改進(jìn)的顯微紅外熱像儀測(cè)量了GaN HEMT的降溫曲線。采用結(jié)構(gòu)函數(shù)算法對(duì)兩種降溫曲線進(jìn)行分析,得到了反映器件各層材料熱阻的積分結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線。當(dāng)管殼接觸層由空氣變化為導(dǎo)熱硅脂時(shí),積分結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線發(fā)生了變化。通過(guò)結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線能夠明確區(qū)分被測(cè)件不同層的熱阻。可以將被測(cè)件的分成7層結(jié)構(gòu),與器件真實(shí)結(jié)構(gòu)基本一致。
[Abstract]:In order to accurately measure the thermal resistance parameters of GaN HEMT, the cooling curves of GaN HEMT were measured by using an improved micro-infrared thermal imager under two different contact thermal resistance conditions. Two kinds of cooling curves are analyzed by using the structure function algorithm, and the integral structure function curves reflecting the thermal resistance of each layer of the device are obtained. When the shell and tube contact layer changes from air to heat conductive silicon grease, the integral structure function curve changes. The thermal resistance of different layers can be clearly distinguished by the structural function curve. The measured part can be divided into 7 layers, which is basically consistent with the real structure of the device.
【作者單位】： 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所;
【分類號(hào)】：TN386

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本文編號(hào)：1991335