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691. 形核層生長(zhǎng)速率和阱層生長(zhǎng)溫度對(duì)MOCVD生長(zhǎng)GaN外延薄膜的影響
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692. 表面預(yù)處理對(duì)石墨烯上范德瓦耳斯外延生長(zhǎng)GaN材料的影響
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693. 基于三軸X射線衍射方法的n-GaN位錯(cuò)密度的測(cè)試條件分析
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694. 藍(lán)寶石襯底上氮極性GaN薄膜的MOCVD生長(zhǎng)及其發(fā)光器件特性研究
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695. 含V形坑的Si襯底GaN基單量子阱綠光LED有源區(qū)研究
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696. 利用選擇性外延法生長(zhǎng)單芯片雙波長(zhǎng)白光InGaN/GaN多量子阱結(jié)構(gòu)
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697. 應(yīng)用于高壓GAN柵驅(qū)動(dòng)負(fù)壓關(guān)斷的Buck-Boost的研究與設(shè)計(jì)
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698. 有源區(qū)結(jié)構(gòu)對(duì)硅襯底GaN基LED載流子輸運(yùn)及復(fù)合影響的研究
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699. 學(xué)位論文題目氮化鎵有機(jī)化合物氣相淀積（GaN MOCVD）設(shè)備控制系統(tǒng)研究
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700. 極化庫(kù)侖場(chǎng)散射對(duì)GaN基電子器件柵源和柵漏寄生電阻的影響研究
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