發(fā)布時間：2021-08-31 12:51

　　由于氮化鎵（Gallium nitride,GaN）功率器件在高開關(guān)速度和高擊穿電壓特性上得天獨厚的優(yōu)勢,所以它在通信、汽車電子、雷達和無線充電應(yīng)用上得到了快速的發(fā)展。然而設(shè)計師們并不只放眼于這些高端應(yīng)用,他們已經(jīng)開始不斷地嘗試在新的便攜式設(shè)備的設(shè)計中采用GaN器件來實現(xiàn)下一代產(chǎn)品的優(yōu)越性能。但是將傳統(tǒng)零壓關(guān)斷,正壓開啟的功率驅(qū)動電路應(yīng)用于高壓GaN功率器件時,高dv/dt、di/dt造成的共模噪聲串?dāng)_將極大限制GaN功率器件高壓下的應(yīng)用。通過使用負壓關(guān)斷,零壓開啟的驅(qū)動電路來驅(qū)動耗盡型GaN功率器件可以提高驅(qū)動電路的共模噪聲抗擾能力。為了使高壓GaN驅(qū)動電路單電源供電,需要在驅(qū)動電路中設(shè)計一個負壓產(chǎn)生電路為高壓GaN柵驅(qū)動負壓關(guān)斷提供負壓電源。在該研究背景下,設(shè)計一個應(yīng)用在高壓GaN柵驅(qū)動中的負壓電源具有重要的研究意義。本文介紹了兩種可以應(yīng)用于高壓GaN柵驅(qū)動負壓關(guān)斷的負壓電源產(chǎn)生方式,分別為負壓電荷泵（Charge Pump）和升降壓（Buck-Boost）電路。通過分析兩種負壓電源工作原理,比較兩種負壓電源在高壓GaN柵驅(qū)動應(yīng)用場景下的優(yōu)略,本文選擇了效率更高,輸出電壓連續(xù)可調(diào),... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：71 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

氮化鎵（GaN）技術(shù)和碳化硅（SiC）技術(shù)在不同電壓下的應(yīng)用范圍

dv/dt對關(guān)斷GaN器件的影響

Buck-Boost負壓變換器電壓模時鐘控制波形

【參考文獻】：
碩士論文
[1]一款應(yīng)用于SOC中的Buck型DC-DC的設(shè)計[D]. 付軍輝.西安電子科技大學(xué) 2009
[2]負電壓電荷泵電源的設(shè)計[D]. 姜明方.北京交通大學(xué) 2008



本文編號：3374929