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641. 硅基AlInGaN/AIN/GaN HEMT外延生長與器件工藝研究
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642. 基于MOCVD方法的N面GaN材料生長及特性研究
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643. GaN微波及功率器件在電子信息產(chǎn)業(yè)中的市場前景
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644. 中高溫GaN插入層厚度對藍(lán)光LED光電性能的影響
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645. 低源流量Delta摻雜p型GaN外延薄膜的研究
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646. 納米柱結(jié)構(gòu)增強(qiáng)GaN基綠光LED內(nèi)量子效率的研究
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647. 三維生長溫度對非故意摻雜GaN外延層性能的影響
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648. GaN基Ⅲ族氮化物外延生長及相關(guān)器件的研究
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649. 壘溫對硅襯底GaN基藍(lán)光LED發(fā)光效率的影響
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650. MOCVD反應(yīng)室流場分析及其對GaN生長的影響
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