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641. 退火工藝對(duì)含硅量子點(diǎn)SiC_x薄膜光譜特性的影響
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642. 利用雙液浮選法回收硅片切割廢料中SiC的試驗(yàn)研究
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643. 磁控濺射沉積系統(tǒng)設(shè)計(jì)及SiC-A1薄膜的摩擦特性研究
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644. 4H-SiC中Al離子注入及其二次高溫退火技術(shù)
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645. 不同厚度和開口孔隙率多孔SiC陶瓷濾片的水滲透性能
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646. 4H-SiC肖特基二極管及結(jié)終端技術(shù)研究
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647. 基于SiC器件的三相電流型PWM整流器的研究與實(shí)現(xiàn)
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648. 鉀長(zhǎng)石為助燒劑對(duì)β-SiC超精油石性能的影響
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649. 4H-SiC PiN功率二極管研制及其關(guān)鍵技術(shù)研究
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650. 快速熱退火增強(qiáng)非晶SiC_xO_y薄膜藍(lán)綠光發(fā)射特性研究
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