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601. 形核層生長速率和阱層生長溫度對MOCVD生長GaN外延薄膜的影響
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602. Cascode型GaN HEMT輸出伏安特性及其在單相逆變器中的應(yīng)用研究
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603. 用于飲用水中有害陰離子檢測的GaN基HEMT傳感器的研究
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604. 表面預(yù)處理對石墨烯上范德瓦耳斯外延生長GaN材料的影響
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605. 基于三軸X射線衍射方法的n-GaN位錯(cuò)密度的測試條件分析
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606. 藍(lán)寶石襯底上氮極性GaN薄膜的MOCVD生長及其發(fā)光器件特性研究
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607. 含V形坑的Si襯底GaN基單量子阱綠光LED有源區(qū)研究
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608. 利用選擇性外延法生長單芯片雙波長白光InGaN/GaN多量子阱結(jié)構(gòu)
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609. 無線通信中的寬帶高效率功率放大器及GaN HEMT器件建模研究
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610. 應(yīng)用于高壓GAN柵驅(qū)動(dòng)負(fù)壓關(guān)斷的Buck-Boost的研究與設(shè)計(jì)
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