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521. PSS側(cè)壁弧度優(yōu)化及對GaN基LED出光效率的影響
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522. 面向高效紫外發(fā)光器件的GaN量子點的MOCVD生長及性能研究
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523. 硅基與藍寶石襯底上的GaN-LEDs性能差異分析
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524. 原位沉積的SiN_x插入層對GaN晶體結(jié)構(gòu)及形貌的影響
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525. 圖形化藍寶石襯底摻雜漸變GaN肖特基型紫外探測器
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526. 阱區(qū)結(jié)構(gòu)對硅襯底GaN基LED器件光電性能影響的研究
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527. GaN基FP-HEMT器件的新結(jié)構(gòu)與解析模型研究
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528. 提高瞬態(tài)紅外設(shè)備檢測GaN HEMT結(jié)溫準確度的方法
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529. GaN基紫外LED多量子阱勢阱層材料生長條件的研究
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530. 不同轉(zhuǎn)移工藝制備的垂直結(jié)構(gòu)Si襯底GaN基LED光衰研究
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