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提高瞬態(tài)紅外設(shè)備檢測(cè)GaN HEMT結(jié)溫準(zhǔn)確度的方法

發(fā)布時(shí)間:2018-04-14 23:22

  本文選題:熱學(xué) + 瞬態(tài)紅外 ; 參考:《中國(guó)測(cè)試》2017年05期


【摘要】:用高空間分辨率測(cè)溫技術(shù)與瞬態(tài)紅外設(shè)備測(cè)溫結(jié)果結(jié)合的方法提高瞬態(tài)紅外設(shè)備對(duì)GaN HEMT結(jié)溫檢測(cè)的準(zhǔn)確度。對(duì)GaN HEMT隨脈沖工作條件的結(jié)溫變化規(guī)律進(jìn)行分析,證明脈沖條件下器件各個(gè)位置的瞬時(shí)溫度與平均溫度呈線性關(guān)系;依據(jù)上述關(guān)系,采用各個(gè)位置的平均溫度(高空間分辨率)對(duì)瞬態(tài)紅外設(shè)備檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行修正,有效提高瞬態(tài)紅外設(shè)備檢測(cè)GaN HEMT時(shí)的準(zhǔn)確度。用有限元仿真結(jié)果驗(yàn)證上述方法的準(zhǔn)確性。根據(jù)該方法,用高空間分辨率的顯微紅外測(cè)溫結(jié)果對(duì)瞬態(tài)紅外設(shè)備測(cè)溫結(jié)果進(jìn)行修正,實(shí)現(xiàn)2.8μm空間分辨率的瞬態(tài)溫度檢測(cè)。該方法可以有效提高瞬態(tài)紅外設(shè)備檢測(cè)GaN HEMT結(jié)溫結(jié)果的準(zhǔn)確度。
[Abstract]:The accuracy of GaN HEMT junction temperature detection is improved by combining the high spatial resolution temperature measurement technique with the transient infrared device temperature measurement results.The variation law of junction temperature of GaN HEMT with pulse working condition is analyzed, and it is proved that the instantaneous temperature and average temperature of the device are linearly related to each position of the device under the pulse condition, according to the above relation,The average temperature of each position (high spatial resolution) is used to modify the detection results of transient infrared equipment, which can effectively improve the accuracy of transient infrared equipment in detecting GaN HEMT.The accuracy of the method is verified by finite element simulation.According to this method, the transient temperature measurement of 2.8 渭 m spatial resolution is realized by modifying the transient infrared temperature measurement results with high spatial resolution micro-infrared temperature measurement results.This method can effectively improve the accuracy of GaN HEMT junction temperature detection by transient infrared equipment.
【作者單位】: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所計(jì)量中心;
【分類號(hào)】:TN386

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本文編號(hào):1751489

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