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41. 基于
PECVD
中SiF 4 /H 2 /Ar混合氣體的材料性能及刻蝕效應(yīng)研究
42. 退火溫度對
PECVD
法制備SiO 2 /Si 3 N 4 光學(xué)薄膜性能的影響
43. 硅鍺薄膜材料的RF-
PECVD
法制備及其在太陽電池中的應(yīng)用
44. 類金剛石薄膜的
PECVD
制備及其在水基潤滑劑下的摩擦學(xué)性能研究
45. 基于
PECVD
原位氧化法制備超薄氧化硅隧穿層及在高效TOPCon太陽電池中的應(yīng)用
46. Effect of
PECVD
SiN x /SiO y N x –Si interface property on s
47.
PECVD
制備a-Si:H(nc-Si:H)/a-SiC:H多層薄膜的光電特性研究
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