天堂国产午夜亚洲专区-少妇人妻综合久久蜜臀-国产成人户外露出视频在线-国产91传媒一区二区三区

當(dāng)前位置:主頁(yè) > 科技論文 > 電子信息論文 >

PECVD制備a-Si:H(nc-Si:H)/a-SiC:H多層薄膜的光電特性研究

發(fā)布時(shí)間:2021-08-06 07:40
  本工作采取射頻等離子體加強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF-PECVD)技術(shù),以H2稀釋的CH4和SiH4作為作用氣體,分別在石英襯底和單晶硅襯底上制備了a-Si:H/a-Si C:H多層薄膜,并利用高溫?zé)嵬嘶鸱椒ㄖ苽淞司Я3叽缈煽氐膎c-Si:H/a-SiC:H多層結(jié)構(gòu)薄膜。利用透射電子顯微鏡(TEM)、X射線衍射儀(XRD)、Raman散射光譜儀對(duì)樣品的微結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征,證明了我們制備的多層結(jié)構(gòu)薄膜界面陡峭且周期性良好;在1050℃溫度下,20分鐘納米硅顆粒就會(huì)生長(zhǎng)到與子層厚相當(dāng)?shù)某叽。利用分光光度?jì)對(duì)nc-Si:H/a-SiC:H多層結(jié)構(gòu)薄膜的透射和反射進(jìn)行測(cè)量并分析,結(jié)果表明:隨著勢(shì)阱層厚度的減小,樣品的吸收系數(shù)會(huì)減小,光學(xué)帶隙增大;勢(shì)壘層厚度對(duì)薄膜的光吸收并沒有很大影響。利用半導(dǎo)體特性分析儀對(duì)a-Si:H(nc-Si:H)/a-SiC:H多層薄膜的垂直輸運(yùn)特性進(jìn)行測(cè)量,分析表明:在對(duì)a-Si:H/a-SiC:H多層膜的垂直輸運(yùn)特性研究中發(fā)現(xiàn)了共振隧穿,而對(duì)于nc-Si:H/a-SiC:H多層結(jié)構(gòu),在低場(chǎng)下的隧穿機(jī)制為直接隧穿,高場(chǎng)強(qiáng)下的載流子輸運(yùn)符合Fowler–Nordheim(FN)隧... 

【文章來源】:河北大學(xué)河北省

【文章頁(yè)數(shù)】:57 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

PECVD制備a-Si:H(nc-Si:H)/a-SiC:H多層薄膜的光電特性研究


實(shí)驗(yàn)采用的PECVD系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖

示意圖,多層結(jié)構(gòu),XRD測(cè)試,薄膜


圖 2.3 多層結(jié)構(gòu)薄膜 XRD 測(cè)試示意圖膜剖面結(jié)構(gòu)微鏡即 Transmission Electron Microscope(TEM),簡(jiǎn)稱透子槍、樣品室、物鏡、中間鏡、透射鏡六部分。由于其具點(diǎn),經(jīng)常用來探測(cè)觀察納米材料的超微結(jié)構(gòu),通過照片可晶粒尺寸、晶面間距、界面特性等信息;驹硎前哑,由于電子會(huì)與薄膜結(jié)構(gòu)內(nèi)的原子發(fā)生相互作用而改變射,而散射角的大小與樣品的特性有直接關(guān)系,會(huì)在 TE測(cè)量之前需要研磨樣品而后進(jìn)行離子減薄等工藝過程的處制造的Tecnai F20高分辨率TEM 對(duì)制備的a-Si:H/a-SiC

示意圖,多層結(jié)構(gòu),薄膜,示意圖


河北大學(xué)理學(xué)碩士學(xué)位論文122 d sin k (2.5)圖 2.3 多層結(jié)構(gòu)薄膜 XRD 測(cè)試示意圖2.2.4 多層薄膜剖面結(jié)構(gòu)透射電子顯微鏡即 Transmission Electron Microscope(TEM),簡(jiǎn)稱透射電鏡,一般包括聚光鏡、電子槍、樣品室、物鏡、中間鏡、透射鏡六部分。由于其具有分辨率高、放大倍數(shù)高等特點(diǎn),經(jīng)常用來探測(cè)觀察納米材料的超微結(jié)構(gòu),通過照片可以分析薄膜的剖面結(jié)構(gòu)、晶向、晶粒尺寸、晶面間距、界面特性等信息;驹硎前呀(jīng)過加速的電子束射向超薄樣品,由于電子會(huì)與薄膜結(jié)構(gòu)內(nèi)的原子發(fā)生相互作用而改變運(yùn)動(dòng)方向,從而產(chǎn)生立體角散射,而散射角的大小與樣品的特性有直接關(guān)系,會(huì)在 TEM 照片上有直接反映。對(duì)樣品進(jìn)行測(cè)量之前需要研磨樣品而后進(jìn)行離子減薄等工藝過程的處理,本課題采用由美國(guó)FEI公司制造的Tecnai F20高分辨率TEM 對(duì)制備的a-Si:H/a-SiC:H多層結(jié)構(gòu)薄膜和 nc-Si:H/a-SiC:H 多層結(jié)構(gòu)薄膜的微結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征,分辨率為 0.2nm。2.2.5 光學(xué)特性測(cè)試紫外-可見-近紅外(UV-VIS-NIR)分光光度計(jì)是利用波長(zhǎng)從紫外到可見光再到近紅外區(qū)域的光子照射樣品,可以測(cè)量樣品的透射曲線、反射曲線等,一般包括光源

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]nc-Si:H/α-SiC:H多層膜的結(jié)構(gòu)與光吸收特性[J]. 馬蕾,蔣冰,陳乙豪,沈波,彭英才.  物理學(xué)報(bào). 2014(13)
[2]納米結(jié)構(gòu)太陽(yáng)電池的研究與展望[J]. 彭英才,江子榮,王峰,馬蕾,婁建忠.  微納電子技術(shù). 2011(08)
[3]The origin of blue photoluminescence from nc-Si/SiO2 multilayers[J]. 馬忠元,郭四華,陳德媛,魏德遠(yuǎn),姚瑤,周江,黃銳,李偉,徐駿,徐嶺,黃信凡,陳坤基,馮端.  Chinese Physics B. 2008(01)
[4]發(fā)光納米硅/二氧化硅多層膜的特性與氫氣氛退火的影響[J]. 夏正月,韓培高,韋德遠(yuǎn),陳德媛,徐駿,馬忠元,黃信凡,陳坤基.  物理學(xué)報(bào). 2007(11)
[5]氫化硅薄膜介觀力學(xué)行為及其與微結(jié)構(gòu)內(nèi)稟關(guān)聯(lián)特性[J]. 王權(quán),丁建寧,何宇亮,薛偉,范真.  物理學(xué)報(bào). 2007(08)
[6]尺寸可控的納米硅的生長(zhǎng)模型和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證[J]. 劉艷松,陳鎧,喬峰,黃信凡,韓培,高錢波,馬忠元,李偉,徐駿,陳坤基.  物理學(xué)報(bào). 2006(10)
[7]微晶硅薄膜的結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)的研究[J]. 郜小勇,李瑞,陳永生,盧景霄,劉萍,馮團(tuán)輝,王紅娟,楊仕娥.  物理學(xué)報(bào). 2006(01)
[8]a-SiCx:H/nc-Si:H多層薄膜的室溫時(shí)間分辨光致可見發(fā)光[J]. 王莉,趙艷娥,趙福利,陳弟虎,吳明娒.  發(fā)光學(xué)報(bào). 2004(06)
[9]絕緣襯底上高密度均勻納米硅量子點(diǎn)的形成與表面形貌[J]. 李鑫,王曉偉,李雪飛,喬峰,梅嘉欣,李偉,徐駿,黃信凡,陳坤基.  物理學(xué)報(bào). 2004(12)
[10]氫化非晶氮化硅薄膜的光學(xué)特性研究[J]. 于威,侯海虹,王保柱,劉麗輝,傅廣生.  河北大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2003(03)



本文編號(hào):3325370

資料下載
論文發(fā)表

本文鏈接:http://www.sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/3325370.html


Copyright(c)文論論文網(wǎng)All Rights Reserved | 網(wǎng)站地圖 |

版權(quán)申明:資料由用戶d9ecc***提供,本站僅收錄摘要或目錄,作者需要?jiǎng)h除請(qǐng)E-mail郵箱bigeng88@qq.com