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471. 熱源尺寸對AlGaN/GaN HEMT器件熱阻的影響機(jī)理
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472. AlGaN/GaN HEMT器件的高場高溫可靠性研究
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473. 垂直結(jié)構(gòu)GaN基LED薄膜芯片靜電失效演變的表征與研究
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474. 電流增益截止頻率為236 GHz的InAlN/GaN高頻HEMT
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475. 量子壘結(jié)構(gòu)對Si襯底GaN基綠光LED光電性能的影響
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476. 砷化鎵GaAs氮化鎵GaN材料的發(fā)展趨勢與市場應(yīng)用
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477. N面GaN基HEMT器件的直流特性數(shù)值模擬和仿真研究
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478. GaN基半導(dǎo)體材料熱電性質(zhì)的第一性原理計算與研究
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479. 2017年射頻GaN市場打響未來器件之戰(zhàn)哪項技術(shù)會出局
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480. GaN-MOCVD垂直噴淋式反應(yīng)室的優(yōu)化設(shè)計
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