本文關鍵詞：砷化鎵GaAs氮化鎵GaN材料的發(fā)展趨勢與市場應用

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【摘要】：由于半導體材料硅Si在物理特性上的先天限制,僅能應用在1GHz以下的工作頻率。砷化鎵GaAs主要用于微波功率器件,即工作在微波波段(頻率300-300 000MHz之間)的半導體器件。氮化鎵材料由于禁帶寬度達到3.4eV,成為高溫、高頻、大功率微波器件的首選材料之一。本文介紹了國內外砷化鎵GaAs、氮化鎵GaN材料的發(fā)展趨勢。
【關鍵詞】： 半導體材料 砷化鎵GaAs 氮化鎵GaN
【分類號】：TN304.2
【正文快照】： 半導體材料是制作半導體器件和集成電路的電子材料,是半導體工業(yè)的基礎。隨著新的半導體材料出現(xiàn)、電力電子技術進步與制作工藝的提高,半導體在過去經歷了三代變化。砷化鎵(Ga As)和氮化鎵(Ga N)半導體分別作為第二代和第三代半導體的代表,相比第一代半導體硅(Si)價格更加昂貴

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本文編號：764479