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411. 石墨烯應(yīng)用于GaN基材料的研究進(jìn)展
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412. GaN基隧穿器件的制備及特性的研究
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413. GaN基光電陰極的結(jié)構(gòu)設(shè)計與制備研究
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414. 增強(qiáng)型GaN功率器件柵驅(qū)動技術(shù)設(shè)計考慮
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415. 等離子增強(qiáng)原子層沉積低溫生長GaN薄膜
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416. GaN基太赫茲耿氏二極管新結(jié)構(gòu)研究
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417. 硅襯底GaN基LED薄膜芯片的應(yīng)力調(diào)制
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418. MOVPE生長GaN薄膜的表面吸附和擴(kuò)散研究
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419. 微波毫米波GaN HEMT大信號模型研究
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420. 梯度摻雜GaN光電陰極的光譜響應(yīng)測試與分析
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