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梯度摻雜GaN光電陰極的光譜響應(yīng)測試與分析

發(fā)布時間:2018-05-08 21:43

  本文選題:光電子學(xué) + 光譜響應(yīng)曲線。 參考:《量子電子學(xué)報》2017年01期


【摘要】:用光譜響應(yīng)測試儀得到了反射式梯度摻雜GaN光電陰極在激活和衰減過程中的光譜響應(yīng)曲線,發(fā)現(xiàn)此曲線不斷發(fā)生變化。在激活過程中光譜響應(yīng)不斷提高,且長波響應(yīng)提高較快;衰減過程中光譜響應(yīng)不斷下降,長波響應(yīng)下降得更快。結(jié)果表明:光譜響應(yīng)曲線的變化與光電陰極高能光電子的逸出有關(guān)。GaN光電陰極發(fā)射的電子能量分布隨入射光子能量升高而向高能端偏移,陰極表面勢壘形狀的變化對低能光激發(fā)電子的影響更大,導(dǎo)致光譜響應(yīng)曲線隨入射光波長改變而產(chǎn)生了不同的變化。
[Abstract]:The spectral response curves of the reflective gradient doped GaN photocathodes during activation and attenuation were obtained by using the spectral response tester. It was found that the curve changed continuously. In the process of activation, the spectral response increases continuously, and the long wave response increases rapidly, and the spectral response decreases continuously during the decay process, and the long wave response decreases more quickly. The results show that the variation of spectral response curve is related to the emission of photocathode high-energy photoelectrons. The electron energy distribution of gan photocathode shifts to the high-energy end with the increase of incident photon energy. The change of the surface barrier shape of the cathode has a greater influence on the electrons excited by low energy light, which leads to different changes in the spectral response curve with the change of the incident wavelength.
【作者單位】: 商丘師范學(xué)院物理與電氣信息學(xué)院;南京理工大學(xué)電子工程與光電技術(shù)學(xué)院;
【基金】:國家自然科學(xué)基金,61171042~~
【分類號】:O462.3

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本文編號:1863196

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