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401. AlGaN/GaN/AlGaN雙異質(zhì)結(jié)HEMT器件及特性研究
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402. 新型高耐壓垂直型GaN基功率器件的研究與設(shè)計
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403. InGaN/GaN基納米柱LED的制備及光學(xué)特性研究
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404. 毫米波GaN HEMT功率器件準(zhǔn)物理大信號模型研究
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405. 凹槽柵AlGaN/GaN MOS-HEMT器件特性研究
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406. 氨氣與溫度對HCVD法合成GaN納米材料的影響
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407. In組分漸變的InGaN/GaN多量子阱結(jié)構(gòu)光學(xué)特性
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408. 基于GAN-PSO-ELM的網(wǎng)絡(luò)入侵檢測方法
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409. 基于天線優(yōu)化的GaN/AlGaN HEMT太赫茲探測器
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410. 基于GaN器件的雙向CLLC諧振變換器分析與設(shè)計
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