介紹了一種基于天線優(yōu)化的GaN/AlGaN高電子遷移率晶體管（HEMT）的高靈敏度室溫太赫茲探測器。在太赫茲波輻射下,太赫茲天線可以高效收集太赫茲波的能量進而提高探測器的性能指標。利用有限時域差分（FDTD）法對太赫茲天線的特征尺寸（源、漏極天線之間的間距Lw以及柵極天線的柵長Lg）進行了優(yōu)化研究。研究結果表明當Lg一定時,探測器的響應度隨著Lw的減小而增大,并從實驗上制備出了響應度為9.45×102 V/W的室溫GaN/AlGaN HEMT太赫茲探測器。對優(yōu)化后的器件進行了1×9線陣列探測器的制備和測試,探測器的電學特性一致性較好,響應度僅有約10%的誤差。 

【文章來源】：微納電子技術. 2017,54(10)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 場效應自混頻探測原理及仿真計算
2 實驗結果和討論
3 結論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]HEMT太赫茲探測器響應度和NEP的檢測與分析[J]. 楊昕昕,孫建東,秦華.  微納電子技術. 2013(02)
[2]蝶形天線增強的HEMT室溫太赫茲探測器[J]. 孫建東,孫云飛,周宇,張志鵬,林文魁,曾春紅,吳東岷,張寶順,秦華.  微納電子技術. 2011(04)



本文編號：3129973