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311. 混合極性GaN基HEMT中2DEG性能分析
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312. Mg摻雜GaN結(jié)構(gòu)及電子結(jié)構(gòu)的理論研究
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313. Ku波段GaN E類功率放大器設(shè)計(jì)技術(shù)研究
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314. 300nm GaN基半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)研究
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315. MOCVD制備不同襯底GaN外延的在線紅外測(cè)溫比較研究
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316. L頻段寬帶GaN芯片高功率放大器設(shè)計(jì)
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317. 硅襯底GaN基LED光電性能及可靠性研究
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318. GaN基稀磁半導(dǎo)體薄膜的制備與性能研究
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319. 基于金剛石的GaN基微波功率器件研究進(jìn)展
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320. GaN-基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的磁輸運(yùn)性質(zhì)研究
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