本文關鍵詞： 摻雜 高壓 帶隙 第一性原理　出處：《四川大學學報(自然科學版)》2017年05期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用基于密度泛函理論的贗勢平面波方法研究了金屬元素Mg摻雜GaN的結構及電子結構性質.計算金屬Mg分別替換Ga和N原子后體系的結合能,得到Mg原子更容易替換Ga原子,與他人的結果一致.摻雜后晶格常數(shù)a和c反而略有增大,并且高壓下的情況是類似的.Mg摻雜后GaN電子結構顯示摻雜使得GaN帶隙略有增加,壓強從0增加到20GPa,摻雜前后帶隙值分別增大約39.1%和38.4%.
[Abstract]:The structure and electronic properties of metal element mg doped GaN are studied by using the pseudopotential plane wave method based on density functional theory. The binding energy of the system after mg is replaced by Ga and N atoms respectively is calculated, and it is found that mg atoms can replace Ga atoms more easily. The lattice constants a and c increase slightly after doping, and at high pressure, the electronic structure of GaN after doping with. Mg shows that the band gap of GaN increases slightly after doping. When the pressure increases from 0 to 20 GPA, the band gap increases by about 39.1% and 38.4 respectively before and after doping.
【作者單位】： 河南理工大學材料科學與工程學院;攀枝花學院材料工程學院;
【基金】：國家自然科學基金(11404099) 河南理工大學杰出青年基金(J2014-05)
【分類號】：TN304

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本文編號：1516888