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301.
Si
C
功率器件應(yīng)用現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢
302. 納米
Si
C
陶瓷的氧化特性的研究
303. 活性炭塊誘發(fā)
Si
C
晶須生長的研究
304.
Si
C
晶須合成方法的研究進(jìn)展
305. 新型
Si
C
溝槽IGBT的模擬研究
306.
Si
C
功率MOSFET損耗特性的研究
307. 寬禁帶
Si
C
單晶襯底研究進(jìn)展
308.
Si
C
襯底紫外LED制備和研究
309.
Si
C
單相光伏逆變器效率分析
310.
Si
C
發(fā)光特性及其調(diào)控研究進(jìn)展
26
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