發(fā)布時間：2017-10-23 08:29

  本文關(guān)鍵詞：活性炭塊誘發(fā)SiC晶須生長的研究

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【摘要】：以含氫硅油為前驅(qū)體,選用3種不同的活性炭塊(1cm×1cm×1cm)為基體,經(jīng)交聯(lián)、制粉、包埋,氬氣保護下燒結(jié)制備SiC晶須(SiCw)。對含氫硅油的交聯(lián)工藝進(jìn)行了研究,以正交試驗法研究交聯(lián)溫度、保溫時間、催化劑含量、交聯(lián)劑含量對含氫硅油交聯(lián)程度的影響。結(jié)果表明,交聯(lián)溫度是影響含氫硅油交聯(lián)度的主要因素;其次依次是保溫時間、催化劑含量、交聯(lián)劑含量。在不同基體的誘導(dǎo)研究中,石墨基體表面生成的晶須較平直,另外兩種基體未見均勻分布且長直的SiC晶須生成。SiC晶須的產(chǎn)生是由基體的表面缺陷引發(fā),較低溫度下晶須頭部液滴的存在說明其生長機制符合VLS機制。
【作者單位】： 華北理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;河北省無機非金屬材料重點實驗室;華北理工大學(xué)建筑工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： SiC晶須 含氫硅油 交聯(lián)度 生長機制 正交試驗法
【基金】：唐山市科技計劃項目(14130272a) 華北理工大學(xué)大學(xué)生創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)訓(xùn)練計劃項目(X2015181) 河北省自然科學(xué)基金青年基金(E2016209327)
【分類號】：O784;TQ163.4
【正文快照】： 3華北理工大學(xué)建筑工程學(xué)院,唐山063009)陳e，

本文編號：1082401