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281. Cascode型GaN功率器件的開關(guān)過程及損耗分析
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282. InAlGaN/AlGaN復(fù)合勢壘層的GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)研究
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283. ZnO/GaN異質(zhì)結(jié)LED的制備與特性研究
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284. GaN基芯片上互連線可靠性仿真研究
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285. NEA GaN光電陰極光電發(fā)射機(jī)理的理論研究
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286. ZrB 2 /Ni襯底低溫沉積GaN薄膜的研究
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287. 應(yīng)力對AlGaN/GaN HEMT器件特性的影響研究
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288. InGaN/GaN多量子阱的制備及物性研究
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289. AlGaN/GaN HEMT耐壓新結(jié)構(gòu)及開關(guān)特性研究
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290. GaN有源箝位反激式電源控制策略研究
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