共源共柵級聯(lián)（Cascode）型氮化鎵（GaN）功率器件開關(guān)過程較為復(fù)雜,其開關(guān)過程和功率損耗直接影響器件的設(shè)計、應(yīng)用和分階段建模.由于器件封裝成模塊結(jié)構(gòu),很難對內(nèi)部器件的開關(guān)性能進(jìn)行分析,因此利用同型號耗盡型GaN管與低壓Si MOS管搭建外部級聯(lián)型GaN功率器件,檢測雙脈沖開關(guān)過程中低壓Si MOS管漏極電壓,從而分析耗盡型GaN管與低壓Si MOS管各自的開關(guān)過程,以及各自的寄生參數(shù)對整管開關(guān)特性的影響.推導(dǎo)了考慮寄生電容影響的GaN功率器件的開關(guān)損耗計算模型.采用實(shí)際Cascode型GaN功率器件,搭建器件開關(guān)特性測試硬件平臺,研究不同驅(qū)動網(wǎng)絡(luò)參數(shù)對開關(guān)特性的影響規(guī)律.實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了本文分析方法的正確性. 

【文章來源】：大連海事大學(xué)學(xué)報. 2020,46(02)北大核心

【文章頁數(shù)】：8 頁

【部分圖文】：

Cascode型GaN功率器件結(jié)構(gòu)

Cascode GaN靜態(tài)伏安特性曲線

圖3 雙脈沖簡化等效電路

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號：3077813