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221. CMOS反相器低頻噪聲模型及可靠性表征研究
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222. 2～5GHz寬帶CMOS低噪聲放大器設(shè)計
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223. 基于測試結(jié)構(gòu)的CMOS工藝可靠性評價方法研究
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224. 低溫漂系數(shù)共源共柵CMOS帶隙基準電壓源
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225. 無結(jié)場效應(yīng)管——新興的后CMOS器件研究進展
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226. 影響納米CMOS器件單粒子效應(yīng)電荷收集共享關(guān)鍵問題研究
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227. 低功耗高可靠CMOS數(shù)字電路反饋鏈的技術(shù)研究
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228. 基于電流復(fù)用技術(shù)的亞mW級CMOS VCO設(shè)計
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229. K波段低噪聲集成片上CMOS接收前端設(shè)計
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230. 基于CMOS工藝RF-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計
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