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11. 抗輻射VDMOS器件的研究與設(shè)計(jì)
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12. 基于MET的高壓VDMOS器件模型研究
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13. 650V功率VDMOS結(jié)終端擴(kuò)展優(yōu)化設(shè)計(jì)
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14. 宇航VDMOS器件單粒子輻射加固技術(shù)綜述
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15. 性能退化數(shù)據(jù)下的VDMOS可靠性分析
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16. 250V抗輻射VDMOS的研究與設(shè)計(jì)
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17. 高K介質(zhì)電場(chǎng)調(diào)制新型VDMOS特性分析
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18. 屏蔽柵VDMOS優(yōu)值模型與器件結(jié)構(gòu)研究
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19. 功率VDMOS器件中多晶硅刻蝕工藝研究
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20. VDMOS性能退化實(shí)驗(yàn)及接觸熱阻的研究
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