VDMOS器件是場效應晶體管之一,具有穩(wěn)定電路的性質,由垂直雙擴散金屬-氧化物半導體組成,是由電壓控制的器件。工作原理是依靠柵極電壓調控表面形成了導電溝道,在漏極與源極之間的電流具有輸入阻抗高、開關速度塊、驅動功率低、頻率特性優(yōu)越并熱穩(wěn)定性好等多種特點。VDMOS器件在半導體分立器件中屬于高端產品,應用范圍廣泛、市場需求大,發(fā)展前景好。在很多領域之中都非常廣泛應用,比如電源開關、工業(yè)精控,驅動馬達、電機調速、汽車電子、電子鎮(zhèn)流器、音頻放大、高保真音響、不間斷電源、逆變器、節(jié)能燈、高頻振蕩器、電機調速、逆變器等。集成電路生產工藝技術發(fā)展的非常迅猛,最重要的參數就是多晶硅柵極的特征尺寸。在VDMOS生產制造的過程中,多晶硅柵極的質量對于對VDMOS關鍵參數I_GSS和Vth有明顯的相關性。本文使用AMAT P5000機臺進行多晶硅干法刻蝕實驗對象,主要解決上述兩個問題:1.多晶硅刻蝕后刻蝕不凈對導致柵源電流I_GSS參數不達標;通過腔體壓力、射頻電源功率、反應氣體流量的比例變化、腔體磁場四個主要影響因素,對其加以正交實驗之后,分別對四個因素加以控制,... 

【文章來源】：西安電子科技大學陜西省211工程院校教育部直屬院校

【文章頁數】：78 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

VDMOS器件剖面結構和等效電路圖

第一章 緒論弱，即表現為表層電子濃度高于中心濃度[15]。當VGS>VGS(th)時，如果漏極受到的電壓同源極一致，則電流從源極產生，在水移之后達到導電通道，隨著通道進一步遷移至漏漂移區(qū)。此時受到電場的影響，在兩者之間形成垂直的通路，進而產生漏極電流。結合數學曲線對以上電流電壓變動情況做出說明，即獲取到 VDMOS 輸出特曲線，如圖 1.2(a)。VDMOS 屬于對電壓加以調控的期間，其性能發(fā)揮主要依賴于對柵極與源極間輸出狀態(tài)與輸出強度的調控。在晶體管處于飽和狀態(tài)時，此時的電流強度為ID(sa著VGS參數的調整，ID(sat)參數也隨之發(fā)生變化，將每組數據對應到圖上的坐標能夠比較合理科學的繪制出 VDMOS 轉移特性曲線，如圖 1.2 (b)

穸扔辛街鄭?直鷂?. PAD OX 850 /POLY 7800 /PR 1.35UM；2. PAD OX 600 /POLY 6000 /PR 1.35UM；圖 2. 1 多晶硅干法刻蝕膜層結構示意圖2.1.1 襯底柵氧化層之所以將硅用到集成電路材料制作之中，主要是因為這種物質表現出良好的絕緣特性，除此之外二氧化硅-硅黏附性能表現突出、便于生長、有很強的阻擋雜質的能力、二氧化硅-硅的界面缺陷少、容易形成符合要求的圖案等等。對于氧化膜的制備可以按照三種方法分別進行：1.干氧氧化法：即在高溫條件下，當空氣中的氧氣同硅片直接作用時，氧分子會同硅分子發(fā)生反應，促使二氧化硅的形成，相關的化學方程式如下所示：Si+O2=SiO2 （2-2）

【參考文獻】：
期刊論文
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