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181. 穴位電針對面神經(jīng)損傷后面神經(jīng)核中N-cad、E-cad及P-cad mRNA表達(dá)的影響
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182. 4H-SiC歐姆接觸研究及其應(yīng)用
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183. 半絕緣4H-SiC光導(dǎo)開關(guān)研究
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184. 4H-SiC功率BJT器件特性研究
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185. 4H-SiC納米結(jié)構(gòu)調(diào)制及應(yīng)用研究
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186. 4H-SiC MESFET特性對比及仿真
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187. 基于4H-SiC的中子探測技術(shù)研究
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188. SiO 2 /4H-SiC界面氮化退火
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189. 4H-SiC同質(zhì)外延基面位錯(cuò)的轉(zhuǎn)化
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190. 高壓4H-SiC BJT功率器件特性研究
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