通過1 300℃高溫干氧熱氧化法在n型4H-SiC外延片上生長了厚度為60 nm的SiO2柵氧化層。為了開發(fā)適合于生長低界面態(tài)密度和高溝道載流子遷移率的SiC MOSFET器件產(chǎn)品的柵極氧化層退火條件,研究了不同退火條件下的SiO2/SiC界面電學(xué)特性參數(shù)。制作了MOS電容和橫向MOSFET器件,通過表征SiO2柵氧化層C-V特性和MOSFET器件I-V特性,提取平帶電壓、C-V磁滯電壓、SiO2/SiC界面態(tài)密度和載流子溝道遷移率等電學(xué)參數(shù)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,干氧氧化形成SiO2柵氧化層后,在1 300℃通入N2退火30 min,隨后在相同溫度下進(jìn)行NO退火120 min,為最佳柵極氧化層退火條件,此時(shí),SiO2/SiC界面態(tài)密度能夠降低至2.07×1012cm-2·e V^-1@0.2 e V,SiC MOSFET溝道載流子遷移率達(dá)到17 cm2·V^-1·s^-1。 

【文章來源】：半導(dǎo)體技術(shù). 2017,42(03)北大核心

【文章頁數(shù)】：4 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論



本文編號(hào)：2985621