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151. 寄生電感對(duì)碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)特性的影響
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152. 1200V碳化硅MOSFET的仿真設(shè)計(jì)和優(yōu)化
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153. 基于CBCM方法的MOSFET寄生電容測(cè)量方法設(shè)計(jì)
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154. 大電流SiC MOSFET器件關(guān)鍵技術(shù)與器件研究
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155. 基于MOSFET的納秒級(jí)全固態(tài)脈沖源設(shè)計(jì)
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156. E類(lèi)功率MOSFET射頻振蕩器的研究
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157. 基于耦合電感的SiC MOSFET并聯(lián)主動(dòng)均流
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158. 碳化硅槽柵MOSFET器件設(shè)計(jì)及其特性研究
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159. Ge材料MOSFET源漏歐姆接觸電阻的研究
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160. 面向分立型MOSFET的主動(dòng)熱控制方法研究
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