我們處在一個電子信息產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的時代,而微電子產(chǎn)業(yè)是電子信息產(chǎn)業(yè)的支柱,在過去的幾十年中,以Si為代表的半導體材料的應用讓集成電路產(chǎn)業(yè)得以飛速發(fā)展。但隨著科技的發(fā)展,半導體器件集成度要求的提高,半導體器件的尺寸變得越來越小,傳統(tǒng)的Si材料面臨著技術及物理極限上的挑戰(zhàn),單純地通過縮短溝道長度來提高傳統(tǒng)集成電路的集成度和提升半導體器件的性能已經(jīng)變得越來越困難。為了進一步提高半導體器件的性能,迫切需要尋找另一種半導體材料,來彌補Si材料在這些方面上的不足。Ge因有著比Si更高的電子和空穴遷移率,且與Si材料成熟的半導體器件工藝相兼容而成為了最理想的候選材料。影響半導體器件性能的因素有很多,其中電阻是一個很重要的因素,半導體器件的總電阻是由半導體材料的體電阻和半導體器件源漏電極的接觸電阻兩部分組成。在半導體器件溝道尺寸較大的時候,源漏電極上的接觸電阻占整個器件總電阻的比例很小,對半導體器件性能的影響有限,然而隨著器件尺寸的不斷縮小,半導體器件源漏電極上的接觸電阻在整個器件總電阻中所占的比例越來越大,對半導體器件性能的影響也越來越大。為了減小半導體器件源漏電極上的接觸電阻,提升半導體器件的性能... 

【文章來源】：西安電子科技大學陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：77 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

典型的NMOSFET結(jié)構(gòu)圖

(a)歐姆接觸的I-V曲線；(b)肖特基接觸的I-V曲線

(1-1)圖1.3 m＞ s時，n 型半導體與金屬接觸能帶圖(a)接觸前；(b)接觸后從圖 1.3(a)中我們可以看出在金屬與半導體材料接觸前半導體的費米能級高于金屬材料的費米能級，即 m> s。由于半導體材料的費米能級比金屬的費米能級要高，在金屬與半導體形成接觸時，半導體中的電子會向金屬中流動，金屬的表面由于電子的流失而帶正電，半導體表面則帶負電，但是整個系統(tǒng)仍然是電中性的，這樣導致了金屬表面的電勢降低，半導體表面的電勢升高，形成了一個空間電荷區(qū)，圖 1.3(b)顯示了理想狀況下達到熱平衡時金屬與半導體材料接觸時的能帶圖。當達到平衡狀態(tài)后，不再有電子的流動

【參考文獻】：
期刊論文
[1]具有86 mV/dec亞閾值擺幅的MoS2/SiO2場效應晶體管（英文）[J]. 劉強,蔡劍輝,何佳鑄,王翼澤,張棟梁,劉暢,任偉,俞文杰,劉新科,趙清太.  紅外與毫米波學報. 2017(05)
[2]降低金屬與n型Ge接觸電阻方法的研究進展[J]. 周志文,沈曉霞,李世國.  半導體技術. 2016(01)
[3]金屬/半導體肖特基接觸模型研究進展[J]. 王光偉,鄭宏興,徐文慧,楊旭.  真空科學與技術學報. 2011(02)
[4]快速退火爐離子注入退火工藝設計[J]. 楊紅官,文利群,許誠,曾云.  湖南大學學報(自然科學版). 2007(01)
[5]帶電粒子在材料中的劑量深度分布計算[J]. 丁義剛,馮偉泉.  航天器環(huán)境工程. 2005(05)
[6]肖特基勢壘和歐姆接觸[J]. 孟慶忠.  煙臺師范學院學報(自然科學版). 2000(02)

博士論文
[1]不同濺射方法薄膜制備的理論計算及特性研究[D]. 于賀.電子科技大學 2013



本文編號：2905681