射頻/微波電路在硬件電路中占有極為重要的地位,而以GaN HEMT為代表的功率半導(dǎo)體器件在微波電路中應(yīng)用最為廣泛。在進(jìn)行電路仿真設(shè)計(jì)時(shí),需要用到電路中各個(gè)器件的模型,因而建立功率器件的準(zhǔn)確模型對(duì)于微波電路設(shè)計(jì)至關(guān)重要。近年來,隨著大數(shù)據(jù)的發(fā)展,人工智能已經(jīng)成為一個(gè)熱門而極具潛力的研究方向。神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)作為人工智能領(lǐng)域中的一種有效方法,應(yīng)用其建立器件模型也越來越受到關(guān)注。本文主要是研究應(yīng)用人工智能領(lǐng)域中的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)方法建立器件行為模型。在進(jìn)行器件模型研究時(shí),常常將其分為小信號(hào)狀態(tài)與大信號(hào)狀態(tài)。本文以CREE公司的CGH40010器件為例進(jìn)行研究。在小信號(hào)建模方面,根據(jù)器件特性,選擇了包含15個(gè)元件的等效電路進(jìn)行建模。文中在進(jìn)行15元件等效電路小信號(hào)建模時(shí)應(yīng)用分步提參法,分別得到了等效電路中寄生元件值與本征元件值。利用提取的元件值在ADS中搭建電路,根據(jù)器件特征參數(shù)進(jìn)行調(diào)諧優(yōu)化,給出模型驗(yàn)證結(jié)果。在應(yīng)用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)方法建立器件小信號(hào)行為模型中,文中提出使用BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)建立S參數(shù)行為模型。建立的小信號(hào)模型,可以直觀地反映GaN HEMT器件的小信號(hào)特征。通過和等效電路建模過程及模型誤差進(jìn)行對(duì)比可以看出...

【文章頁數(shù)】：94 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖2.7中間值C1、C2、C3隨頻率變化曲線

隨頻率變化的曲線。圖2.7中間值C1、C2、C3隨頻率變化曲線提取電容的等效電路是在低頻條件下得到的，電容也應(yīng)該在低頻段取得。圖2.7為中間值C1、C2、C3的擬合結(jié)果，由圖中可以看到，低頻段電容曲線平緩，其數(shù)值基本不隨低頻段頻率變化，此結(jié)果也檢驗(yàn)了上述電容理論的正確性。

圖2.9ADS提取寄生電感與電阻原理圖

1222121112Im(Z)Im(ZZ)Im(ZZ)dssLLL（2-13等效寄生電阻的表達(dá)式為：12111211221222ReRe(Z)Re(Z)Re(Z)Re(Z)Re(Z)Re(Z)sgsdsR(ZRRR....

圖2.10寄生電阻參數(shù)值提取結(jié)果（電阻單位：）

利用圖2.9的仿真電路，在得到Z參數(shù)后，進(jìn)而可以得到寄生電阻擬合曲線如圖2.10。圖2.10寄生電阻參數(shù)值提取結(jié)果（電阻單位：）同時(shí)，也可以對(duì)Z參數(shù)虛部進(jìn)行提取，得到寄生電感的參數(shù)值，如圖2.11。圖2.11寄生電感參數(shù)值提取結(jié)果（電感單位：H）利用上面Co....

圖2.11寄生電感參數(shù)值提取結(jié)果（電感單位：H）

圖2.10寄生電阻參數(shù)值提取結(jié)果（電阻單位：）同時(shí)，也可以對(duì)Z參數(shù)虛部進(jìn)行提取，得到寄生電感的參數(shù)值，如圖2.11。圖2.11寄生電感參數(shù)值提取結(jié)果（電感單位：H）利用上面Cold-FET導(dǎo)通法在高頻段提取出寄生電感與寄生電阻的值，最終結(jié)果見表2.6。表2.6....

本文編號(hào)：3958740