本文關(guān)鍵詞：氧化鉭基RRAM的循環(huán)耐受特性優(yōu)化研究

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【摘要】：阻變存儲(chǔ)器(RRAM)因其性能優(yōu)異、可高密度集成以及與CMOS工藝兼容成本較低等眾多優(yōu)點(diǎn)而被廣泛研究.用于制備阻變型存儲(chǔ)器的關(guān)鍵材料有很多種,其中氧化鉭材料由于與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容而被各大研究機(jī)構(gòu)廣泛關(guān)注,但TaOx基RRAM存儲(chǔ)陣列的可靠性仍存在很大問(wèn)題,尤其是循環(huán)耐受特性.本文制備了4種具有優(yōu)秀阻變性能的雙層Ta2O5/TaOxRRAM器件,Ta2O5層厚度分別為5nm和3nm,TaOx層的x值分別為1.0和0.7.比較了這4種擁有不同器件參數(shù)的氧化鉭基RRAM器件的循環(huán)耐受性能,給出了TaOx基RRAM的循環(huán)耐受性能優(yōu)化方法,發(fā)現(xiàn)雙層TaOxRRAM的富氧Ta2O5層的厚度越薄且缺氧TaOx層的缺氧程度越大,其循環(huán)耐受性能越好.
【作者單位】： 復(fù)旦大學(xué)專用集成電路與系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 氧化鉭 TaO/TaOx 循環(huán)耐受特性 阻變存儲(chǔ)器
【基金】：國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(2014AA032602)
【分類號(hào)】：TP333
【正文快照】： 傳統(tǒng)非揮發(fā)存儲(chǔ)技術(shù)隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)一步微縮化遇到了其物理極限的瓶頸,各種新型非揮發(fā)存儲(chǔ)器的研究受到廣泛關(guān)注,其中最有潛力在未來(lái)進(jìn)一步工藝微縮化進(jìn)程中替代NOR型和NAND型閃存的新型存儲(chǔ)器并實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商業(yè)化量產(chǎn)的存儲(chǔ)器就是阻變存儲(chǔ)器(Resistive switching Random Acc

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本文編號(hào)：660568