本文關(guān)鍵詞：Flash存儲器并行耐久測試方法

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【摘要】：傳統(tǒng)閃存(Flash)芯片耐久測試需要對整塊芯片按扇區(qū)串行進行擦寫測試,測試時間長、效率低、成本高,不利于其批量耐久測試和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。該文基于"資源換速度"的思想提出一種高效的Flash存儲器并行耐久測試方法,通過對多片F(xiàn)lash芯片并行進行擦寫測試,對不同芯片擦寫不同扇區(qū)來提升其耐久測試效率,并進一步對耐久測試Flash芯片的不同扇區(qū)等效性進行分析,對等效性需要滿足的條件和要求進行探討。實驗結(jié)果表明:并行耐久測試能有效縮短測試時間,其效率提升程度與并行測試的芯片數(shù)量成正比,加速測試結(jié)果與理論曲線符合較好。
【作者單位】： 工業(yè)和信息化部電子第五研究所;
【關(guān)鍵詞】： 閃存 存儲壽命 耐久測試 扇區(qū)等效性 并行測試
【分類號】：TP333
【正文快照】： 0引言隨著移動存儲技術(shù)的快速發(fā)展和移動存儲市場的不斷擴大,Flash存儲器的市場需求快速增長[1]。由于具有低成本、高密度、掉電不丟失、便攜、可靠等優(yōu)點,其在移動產(chǎn)品中獲得了廣泛的應(yīng)用[2-3]。隨著大規(guī)模集成電路工藝的進步,Flash存儲器的質(zhì)量可靠性成為影響其大量應(yīng)用的關(guān)

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本文編號：524235