本文關(guān)鍵詞：最高密度4Mb可變電阻式存儲(chǔ)器，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：正4Mb ReRAM(可變電阻式存儲(chǔ)器)產(chǎn)品MB85AS4MT是富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體合作開(kāi)發(fā)的首款ReRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)了目前業(yè)內(nèi)的最高密度。此全新產(chǎn)品適用于需電池供電的穿戴式裝置及助聽(tīng)器等醫(yī)療設(shè)備,例如助聽(tīng)器等需要高密度且低功耗的電子設(shè)備。ReRAM是基于電阻式隨機(jī)存取的一種非易失性存儲(chǔ)器,此產(chǎn)品可將DRAM的讀寫(xiě)速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身,同時(shí)具備更低的功耗及
【關(guān)鍵詞】： 電阻式;讀寫(xiě)速度;隨機(jī)存取;首款;非易失性?xún)?nèi)存;松下電器;醫(yī)療設(shè)備;EEPROM;穿戴式;存儲(chǔ)芯片;
【分類(lèi)號(hào)】：TP333
【正文快照】： 4Mb ReRAM(可變電阻式存儲(chǔ)器)產(chǎn)品MB85AS4MT是富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體合作開(kāi)發(fā)的首款ReRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)了目前業(yè)內(nèi)的最氋密度。此全新產(chǎn)品適用于需電池供電的穿戴式裝置及助聽(tīng)器等醫(yī)療設(shè)備,例如助聽(tīng)器等需要?dú)倜芏惹业凸牡碾娮釉O(shè)備�！�?*. R e R A M是基于電阻式隨

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1 陸楠;;片上開(kāi)發(fā)閃存MCU和電阻式多點(diǎn)觸控方案[J];電子設(shè)計(jì)技術(shù);2010年06期

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本文編號(hào)：437954