憶阻器(Memristor)是蔡紹棠提出的第四種基本電子元器件,其電阻可以根據(jù)流經(jīng)它的電荷量而發(fā)生改變。由于憶阻器的獨特性,對它的研究延伸到諸多方面,阻變存儲器(resistance random access memory,RRAM)就是憶阻器在存儲器領(lǐng)域的一個重要應(yīng)用。阻變存儲器由于具有結(jié)構(gòu)簡單,速度快,功耗低,制備工藝與現(xiàn)有的超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)工藝相兼容等突出優(yōu)勢,成為下一代存儲器的可能選擇之一。然而阻變存儲器在走向產(chǎn)業(yè)化過程中時也面臨著很多障礙,其中阻變存儲器的開關(guān)閾值電壓(Set和Reset)具有較大的彌散性是最突出的問題,因此研究制備出性能更加優(yōu)異,開關(guān)閾值電壓均一性較高的新型阻變器件是阻變領(lǐng)域的研究重點。憶阻器的另一個應(yīng)用是神經(jīng)突觸仿生研究,即運用憶阻器模仿人類大腦的神經(jīng)突觸行為,如記憶,遺忘以及突觸可塑性等功能,研究神經(jīng)突觸仿生器件對于類腦計算具有重要意義。針對阻變存儲及神經(jīng)突觸仿生器件領(lǐng)域的研究需要,本論文做了以下三項研究工作。一.使用石墨烯氧化物量子點(graphene oxide quantum dots,GOQDs),結(jié)合傳統(tǒng)的阻變功能層材料Zr_...

【文章頁數(shù)】：73 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1-1阻變存儲器結(jié)構(gòu)示意圖

sistiverandomaccessmemory，RRAM），顧名值可以在相對較高的電阻態(tài)和相對較低的電阻變存儲器的高阻態(tài)視為“0”，低阻態(tài)視為“1”，芯片。，目前主流存儲器件的制備尺寸不斷微縮，存是尺寸的不斷縮小將會使存儲單元間產(chǎn)生各種據(jù)保持能力，讀寫能力等特性產(chǎn)生嚴重....

圖1-2阻變存儲器件電流電壓曲線

圖1-2阻變存儲器件電流電壓曲線u等科學家為更直觀的探究此類阻變器件的測技術(shù)對Set與Reset過程進行的細致的探2/Pt的器件結(jié)構(gòu)，然后運用situTEM技術(shù)程中的諸多現(xiàn)象，包括導(dǎo)電細絲的形成/溶解et過程中細絲的形成，以及細絲在Reset中存儲單元....

圖2-1磁控濺射設(shè)備

圖2-1磁控濺射設(shè)備先將需要生長的靶材放在靶臺上，將待生長薄將鍍膜腔體抽到210-4Pa左右的真空度，之后射進行到設(shè)定時間關(guān)閉儀器即可。使用磁控濺薄膜厚度，薄膜附著力強等突出優(yōu)點。磁控濺射源發(fā)射出去，在移動過程中與由進氣閥通入電的氬離子和電子，氬離子在電場的作用下轟濺射....

圖3-1GOQDs溶液將GOQDs溶液均勻的旋涂在云母襯底上并晾干后，采用AFM對GOQDs進行形

圖3-1GOQDs溶液涂在云母襯底上并晾干后，采用m1um范圍內(nèi)GOQDs旋涂在云母表面。圖3-2(b)是圖3-2(a，在理論上單層石墨烯的厚度是是0.5nm，與相關(guān)文獻中所描述是單層石墨烯結(jié)構(gòu)，所以測試結(jié)度分布是均勻相似的，沒有明顯

本文編號：3967376