細(xì)粒度NAND Flash編程器的設(shè)計(jì)
【文章頁數(shù)】:62 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1存儲(chǔ)器的分類
第1章緒論1.1本文研究背景存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中必不可少的一項(xiàng)設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)計(jì)算機(jī)中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行果都保存在存儲(chǔ)器中。在計(jì)算機(jī)的誕生和發(fā)展過程中,先后出現(xiàn)了各式各樣的存儲(chǔ)器按信息的可保存性劃分,存....
圖1.2Flash享有ROM、RAM、EEPROM共有的特性
圖1.2Flash享有ROM、RAM、EEPROM共有的特性的二十多年的發(fā)展過程中,閃存技術(shù)經(jīng)過了多次變革和發(fā)展,量愈來愈大、數(shù)據(jù)讀寫速度越來越快、性能價(jià)格比越來越高。術(shù),閃存可以分成NAND,AND,NOR,DiNOR幾種,目前NAND和NOR。Flash....
圖1.3臺(tái)電科技固態(tài)硬盤
少約30-40%的體積,也讓平板電腦和智能手機(jī)制造能改善,例如加大電池續(xù)航力,擴(kuò)大屏幕,增添芯片款新的NANDFlash產(chǎn)品將在2011年年底大量生產(chǎn)。的研究水平要遠(yuǎn)高于國內(nèi),以Kim和Lee所提出的閃研究是以臺(tái)北科技大學(xué)黃文增等人的研究最具代表性以來,各大....
圖2.1NAND和NOR的CELL結(jié)構(gòu)比較
更好的體現(xiàn)NANDFlash的技術(shù)特點(diǎn),在這一小節(jié)中,采用NA式進(jìn)行論述。NAND和NOR是兩種主要的閃存形式,分別應(yīng)用不同領(lǐng)域。NAND閃存,使用非常小的CELL,每比特具有非常為一種高密度存儲(chǔ)介質(zhì)應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)、U盤等電子的典型應(yīng)用是存儲(chǔ)程序并且....
本文編號(hào):3935749
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