本文關(guān)鍵詞：抗工藝變化的SRAM時(shí)序控制電路技術(shù)，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：隨著靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)等不僅需要數(shù)據(jù)快速存取而且追求低功耗的應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展,人們對(duì)寬電壓低功耗SRAM的需求也會(huì)隨之不斷增長(zhǎng)。采用先進(jìn)工藝制程和動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié)技術(shù)(DVFS)是移動(dòng)換聯(lián)網(wǎng)芯片為達(dá)到高性能和低功耗而普遍采用的方式。然而隨著半導(dǎo)體工藝的不斷進(jìn)步,器件的工藝變化呈現(xiàn)不斷增大的趨勢(shì),在低電壓下將會(huì)更加顯著。工藝變化的增大會(huì)給寬電壓低功耗SRAM的設(shè)計(jì)帶來(lái)許多新的問(wèn)題與挑戰(zhàn),其中一個(gè)重大的問(wèn)題就是隨著SRAM讀寫(xiě)裕度不斷增大會(huì)造成SRAM的性能出現(xiàn)嚴(yán)重下降,并導(dǎo)致額外的功耗浪費(fèi)。針對(duì)這一問(wèn)題,本文深入研究了工藝變化對(duì)寬電壓低功耗SRAM設(shè)計(jì)的影響并提出一種更有效消除該影響的技術(shù)。本文的主要研究工作如下： 找出SRAM電路中的關(guān)鍵路徑,即時(shí)序控制電路。分析時(shí)序控制電路在寬電源電壓下受工藝變化影響情況,基于分析結(jié)果,得出工藝變化對(duì)SRAM性能及功耗的影響。對(duì)已有的幾種改進(jìn)的時(shí)序控制電路的設(shè)計(jì)方法進(jìn)行詳細(xì)分析,指出各種技術(shù)存在的不足,并在SMIC65nm工藝下對(duì)以上幾種設(shè)計(jì)方法進(jìn)行仿真比較。 本論文創(chuàng)造性的提出了一種抗工藝變化的多級(jí)并行復(fù)制位線(xiàn)累加技術(shù)(MPRDA),并對(duì)該技術(shù)的原理,電路實(shí)現(xiàn)和工作原理進(jìn)行了詳細(xì)的分析。通過(guò)對(duì)其原理分析可知該技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)在整個(gè)工作電源電壓范圍內(nèi)均獲得最優(yōu)的位線(xiàn)放電時(shí)間,從而縮短SRAM時(shí)鐘周期,并降低工作功耗。為了驗(yàn)證該技術(shù)原理的有效性,通過(guò)對(duì)提出的MPRDA技術(shù)進(jìn)行仿真分析,并和已有技術(shù)進(jìn)行對(duì)比,得出其具有最小工藝變化值,從而存取時(shí)間和功耗都會(huì)得到改善,特別是在低電壓下,如在0.8V電壓下,工藝變化減小了78%,存取時(shí)間改善了21%,功耗降低了13%。
【關(guān)鍵詞】：SRAW 工藝變化 寬電壓 低功耗 時(shí)序控制電路 移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)
【學(xué)位授予單位】：安徽大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2014
【分類(lèi)號(hào)】：TP333
【目錄】：

• 摘要3-4
• Abstract4-8
• 第1章 緒論8-16
• 1.1. 研究背景及意義8-11
• 1.2. SRAM時(shí)序控制電路受工藝變化的影響11-13
• 1.3. 研究現(xiàn)狀13-15
• 1.4. 本論文主要工作15
• 1.5. 本論文整體架構(gòu)15-16
• 第2章 SRAM時(shí)序控制電路16-22
• 2.1. SRAM電路關(guān)鍵路徑分析16-18
• 2.2. 傳統(tǒng)的復(fù)制位線(xiàn)延時(shí)技術(shù)(Conv)18-19
• 2.3. 傳統(tǒng)復(fù)制位線(xiàn)延時(shí)技術(shù)存在的問(wèn)題19-21
• 2.4. 本章小結(jié)21-22
• 第3章 改進(jìn)的SRAM時(shí)序控制電路技術(shù)22-33
• 3.1. 多級(jí)復(fù)制位線(xiàn)技術(shù)(MRB)22-26
• 3.1.1. MRB技術(shù)原理分析22-24
• 3.1.2. 電路實(shí)現(xiàn)及工作原理24-26
• 3.2. 數(shù)字復(fù)制位線(xiàn)延時(shí)技術(shù)(DRBD)26-30
• 3.2.1. DRBD技術(shù)原理分析26-28
• 3.2.2. 電路實(shí)現(xiàn)及工作原理28-30
• 3.3. 仿真結(jié)果對(duì)比分析30-32
• 3.4. 本章小結(jié)32-33
• 第4章 多級(jí)并行復(fù)制位線(xiàn)延時(shí)累加技術(shù)33-49
• 4.1. MPRDA技術(shù)原理分析33-36
• 4.2. MPRDA技術(shù)電路實(shí)現(xiàn)36-38
• 4.3. MPRDA技術(shù)工作原理38-39
• 4.4. 復(fù)制位線(xiàn)分級(jí)和復(fù)制單元個(gè)數(shù)確定39-43
• 4.5. 仿真結(jié)果分析43-47
• 4.6. 本章小結(jié)47-49
• 第5章 總結(jié)與展望49-50
• 5.1. 設(shè)計(jì)總結(jié)49
• 5.2. 工作展望49-50
• 參考文獻(xiàn)50-55
• 圖表目錄55-57
• 致謝57-58
• 碩士階段獲得的研究成果58

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