隨著電子產(chǎn)品的不斷小型化和電子元件集成度不斷提高,對信息存儲提出了更高的要求。對于傳統(tǒng)的存儲器而言,特別是大量電子產(chǎn)品所使用閃存存儲器在小型化和高集成度的進程中遇到瓶頸,其二氧化硅厚度不斷減薄致使漏電流密度的增大,最終導致存儲信息流失。憶阻器是近幾十年來發(fā)展起來的一種新型存儲器,它通過電阻的躍變和恢復來實現(xiàn)信息的存儲,其不僅功耗小、存儲密度高,而且具備制備工藝簡單和延展性好。憑借新材料的發(fā)現(xiàn)、器件結(jié)構(gòu)的設計和與其他電子器件(納米發(fā)電機、場效應晶體管、振蕩器等)的結(jié)合,憶阻器的研究取得重要的突破和進展。因此,憶阻器被認為是取代閃存器件的最有前景存儲器。然而,憶阻器本身也面臨一些挑戰(zhàn),例如,憶阻器控制參量多,憶阻器存儲單元間和單元本身憶阻性能不穩(wěn)定和憶阻機理還不明確等。其中,憶阻器的機理是這些挑戰(zhàn)中最基本的,也是最重要的因素,直接決定憶阻器的開發(fā)、控制和應用。自憶阻效應被發(fā)現(xiàn)以來,對憶阻機理的研究一直沒有停止過。被廣泛接受認可的憶阻機理包含兩種:導電細絲通道和缺陷態(tài)的填充。導電細絲通道模型是通過導電細絲的形成和斷開實現(xiàn)電阻躍變和恢復,而缺陷態(tài)填充中通過電荷注入缺陷態(tài)和從缺陷態(tài)中抽取出來,從...

【文章頁數(shù)】：120 頁

【學位級別】：博士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 記憶的理解
    1.2 傳統(tǒng)存儲器簡介
    1.3 新一代存儲器-憶阻器
        1.3.1 憶阻器量綱推導
        1.3.2 憶阻器的發(fā)展歷程
        1.3.3 憶阻器功能層材料
    1.4 憶阻效應的機理
        1.4.1 離子遷移
        1.4.2 電荷缺陷捕獲/去捕獲
        1.4.3 熱化學反應
        1.4.4 無機物中的一些特殊阻變機理
        1.4.5 有機半導體分子形變
    1.5 憶阻器遇到的挑戰(zhàn)
    1.6 本文研究內(nèi)容和意義
第二章 三維自組裝MoS₂空心微米球憶阻效應機理
    2.1 引言
    2.2 三維自組裝MoS₂微米球的合成
    2.3 Ag/MoS₂/ITO的制備
    2.4 Ag/MoS₂/ITO憶阻效應和機理
        2.4.1 MoS₂形貌結(jié)構(gòu)表征
        2.4.2 Ag/MoS₂/ITO的憶阻特性
        2.4.3 Ag/MoS₂/ITO的憶阻機理
    2.5 本章小結(jié)和創(chuàng)新點
第三章 MoSe₂摻雜的單根超長Se微米線憶阻特性機理研究
    3.1 引言
    3.2 MoSe₂摻雜的超長Se微米線的合成
    3.3 MoSe₂摻雜的超長Se微米線的憶阻效應和機理
        3.3.1 MoSe₂摻雜的超長Se微米線形貌結(jié)構(gòu)表征
        3.3.2 MoSe₂摻雜的超長Se微米線中的憶阻效應
        3.3.3 MoSe₂摻雜的超長Se微米線憶阻機理分析
    3.4 本章小結(jié)和創(chuàng)新點
第四章 濕度對TiO_x薄膜負微分電阻與憶阻室溫共存調(diào)節(jié)
    4.1 引言
    4.2 Ag|TiO_x|FTO的制備與測量
    4.3 Ag|TiO_x|FTO在不同濕度下的憶阻效應
    4.4 活性層TiO_x的形貌機構(gòu)和化學成分表征
    4.5 NDR和RS室溫共存的機理
    4.6 本章小結(jié)和創(chuàng)新點
第五章 H₂O₂改性蛋清溶液制備的透明柔性器件的憶阻機理
    5.1 引言
    5.2 H₂O₂改性蛋清制備透明、柔性憶阻器
    5.3 H₂O₂改性蛋清蛋白的表征
    5.4 H₂O₂改性蛋清蛋白的憶阻特性
    5.5 H₂O₂改性蛋清蛋白的憶阻機理
        5.5.1 H₂O₂對蛋清蛋白改性過程
        5.5.2 改性蛋清蛋白器件的憶阻機理
    5.6 本章小結(jié)和創(chuàng)新點
第六章 結(jié)論和展望
參考文獻
博士期間發(fā)表論文
博士畢業(yè)致謝詞



本文編號：3789251