隨著電子科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,傳統(tǒng)的Flash存儲器面臨物理尺寸縮小極限,為了滿足未來高密度數(shù)據(jù)儲存的需要,目前眾多下一代新型非易失性存儲器相繼被提出。其中,阻變存儲器（RRAM）因其具有結(jié)構(gòu)簡單、功耗低、集成密度高等優(yōu)點,被認(rèn)為是下一代最具有應(yīng)用前景的非易失性存儲器。RRAM通常是將存儲材料夾在兩個電極之間構(gòu)成三明治結(jié)構(gòu),利用存儲材料微觀結(jié)構(gòu)變化來實現(xiàn)電阻切換。雖然阻變物理機(jī)制尚未定論,但普遍認(rèn)為金屬陽離子電化學(xué)反應(yīng)和氧缺陷遷移所致的導(dǎo)電通道通斷是產(chǎn)生阻變現(xiàn)象的物理根源。然而,從導(dǎo)電通道逐漸形成,直至貫穿整個阻變層過程中,其位置、形貌和尺寸等都存在較大隨機(jī)性,導(dǎo)致出現(xiàn)一系列可靠性問題,例如低功耗信息的保持性和參數(shù)的波動性等。因此,為了解決以上可靠性問題,實現(xiàn)導(dǎo)電通道可控調(diào)節(jié)成為了該領(lǐng)域的核心課題。本論文從存儲單元現(xiàn)存的核心問題出發(fā),以氧化石墨烯（GO）與氧化鉿(HfO_2-x)基氧缺陷型阻變器件為研究對象,利用碳量子點所特有的表面特性、光電特性及尺寸特性,對其性能調(diào)控及機(jī)制等方面開展了一系列研究工作,并拓展了RRAM在多功能化器件方面的應(yīng)用。主要研究內(nèi)容如下:1.利用碳... 

【文章頁數(shù)】：100 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

(a)浮柵結(jié)構(gòu)示意圖(b)工作原理

FRAM工作原理

MRAM結(jié)構(gòu)示意圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]NiOx阻變存儲器性能增強(qiáng)方法及相關(guān)機(jī)理研究[J]. 顧晶晶,陳琳,徐巖,孫清清,丁士進(jìn),張衛(wèi).  復(fù)旦學(xué)報(自然科學(xué)版). 2010(06)

博士論文
[1]二元過渡金屬氧化物的阻變存儲器研究[D]. 謝宏偉.蘭州大學(xué) 2013



本文編號：3657285