近幾年FLASH存儲器的銷量不斷增長,NAND FLASH是現(xiàn)在市場上最主要的非易失閃存技術(shù),但是NAND FLASH本身存在著讀寫控制時(shí)序復(fù)雜和位交換等問題。本課題分析其固有缺點(diǎn),開發(fā)出NAND FLASH控制器,并且為其添加了OPB總線接口,使得控制器可以作為OPB總線的從設(shè)備被使用,便于控制器的SOC實(shí)現(xiàn)。（1）分析了FLASH Memory產(chǎn)品的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢,對NAND FLASH和NOR FLASH進(jìn)行了比較,指出了各自的優(yōu)缺點(diǎn),闡述了開發(fā)基于OPB總線的NAND FLASH控制器的意義。（2）通過分析NAND FLASH組織結(jié)構(gòu)、指令操作和AC特性參數(shù),論述了控制器設(shè)計(jì)的技術(shù)基礎(chǔ),并闡述了OPB總線技術(shù)和SOC技術(shù)的特點(diǎn)。（3）根據(jù)控制器功能和性能方面的基本設(shè)計(jì)要求,采用模塊化設(shè)計(jì)思想,完成了總線接口模塊和控制模塊的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。詳細(xì)論述了總線接口模塊的地址譯碼模塊、數(shù)據(jù)FIFO、地址FIFO、主控模塊的實(shí)現(xiàn)方法。具體論述了時(shí)鐘控制模塊的實(shí)現(xiàn)方法,給出了狀態(tài)控制模塊中頁讀取、頁編程、塊擦除、ID讀取、重置、狀態(tài)讀取、查錯(cuò)等指令的狀態(tài)機(jī)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)過程。根據(jù)ECC算法實(shí)現(xiàn)原理,詳... 

【文章來源】：湖南大學(xué)湖南省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：92 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

命令字鎖存AC特性參數(shù)指示圖

數(shù)據(jù)鎖存AC特性參數(shù)指示圖

基于OPB總線的NAND FLASH控制器設(shè)計(jì)與驗(yàn)證有不同的總線寬度及時(shí)序要求的外設(shè)和內(nèi)存，以使這些外設(shè)和內(nèi)存能夠盡量對PLB性能的影響。通常，一些低性能的設(shè)備都連接在OPB總線上。在PLBB之間有一個(gè)OPB橋，用來實(shí)現(xiàn)PLB主設(shè)備與OPB從設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸reConnect總線中的DCR總線主要用來配置PLB和OPB主/從設(shè)備中的狀態(tài)寄和控制寄存器，該總線可以使PLB從低性能狀態(tài)中減小負(fù)荷，更有效的控制傳輸。DCR總線取消了內(nèi)存地址映射配置寄存器，因此，可以減少讀取操作加處理器內(nèi)部總線的帶寬。CoreConnect總線是一種完整的、通用的解決方案被認(rèn)為是一種很好的結(jié)構(gòu)性總線，主要應(yīng)用于高性能嵌入式系統(tǒng)的設(shè)計(jì)[14-17]

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號：3607709