數(shù)據(jù)保持力是NAND閃存重要的可靠性指標,本文基于用戶在使用模式下,通過設計測試方法,研究了電荷捕獲型3D NAND閃存初始閾值電壓-2V至3V的范圍內(nèi)數(shù)據(jù)保持力特性.結果表明初始狀態(tài)為編程態(tài)時,可以有效降低NAND閃存高溫數(shù)據(jù)保留后的誤碼率,特別是隨著擦寫次數(shù)的增加,不同初始狀態(tài)下電荷捕獲型3D NAND閃存數(shù)據(jù)保持力差異更加明顯,結論表明閃存最適宜存放的狀態(tài)為0-1V,電荷捕獲型3D NAND閃存器件應避免長期處于深擦除狀態(tài).并基于不同初始狀態(tài)閃存高溫數(shù)據(jù)保留后的數(shù)據(jù)保持力特性不同的現(xiàn)象進行了建模和演示,通過設計實驗驗證,機理解釋模型符合實驗結果.該研究可為電荷捕獲型3D NAND閃存器件的長期存放狀態(tài)提供理論參考. 

【文章來源】：電子學報. 2020,48(02)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 實驗
3 實驗結果討論
    3.1 NAND閃存高溫數(shù)據(jù)保留錯誤特征
    3.2 不同初始狀態(tài)下數(shù)據(jù)保持力特性分析
    3.3 機理理論建模
    3.4 機理模型實驗與結果分析
    3.5 研究應用場景
4 結論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]NAND閃存市場持續(xù)高漲,2020年將超DRAM[J]. 迎九.  電子產(chǎn)品世界. 2017(10)



本文編號：3522994