存儲(chǔ)接口串行化已成為高性能I/O技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì),SAS（Serial Attached SCSI）是新興的串行磁盤(pán)連接技術(shù)。SAS接口芯片、適配器、硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和SAS擴(kuò)展器構(gòu)成一個(gè)SAS存儲(chǔ)系統(tǒng),其中,SAS擴(kuò)展器是這個(gè)系統(tǒng)中的核心設(shè)備,實(shí)現(xiàn)多發(fā)起端至多目標(biāo)端的數(shù)據(jù)交換,數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)3Gbps。高傳輸速率提高了存儲(chǔ)系統(tǒng)的性能,同時(shí)也帶來(lái)信號(hào)串?dāng)_的隱患,導(dǎo)致數(shù)據(jù)傳輸出錯(cuò)的可能性增加。另外,集成電路開(kāi)關(guān)速度的提高以及PCB （Printed Circuit Board）板密度的增加,也使得元器件和PCB板的參數(shù)、元器件在PCB板上的布局、傳輸線在PCB板上的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)等因素引起信號(hào)完整性問(wèn)題,導(dǎo)致系統(tǒng)工作不穩(wěn)定,影響系統(tǒng)的互通性。必須在高速PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中充分考慮這些因素,并采取相應(yīng)的控制措施,保證信號(hào)的完整。對(duì)高速電路設(shè)計(jì)和高速PCB設(shè)計(jì)技術(shù)進(jìn)行了研究和分析,目標(biāo)設(shè)備是能在SAS存儲(chǔ)系統(tǒng)中穩(wěn)定工作的高質(zhì)量SAS擴(kuò)展器。反射、串?dāng)_、同步開(kāi)關(guān)噪聲等主要信號(hào)完整性問(wèn)題在文中進(jìn)行了深入剖析,針對(duì)實(shí)際項(xiàng)目提出了潛在的問(wèn)題;對(duì)傳輸線阻抗計(jì)算方法進(jìn)行了探討,提出了阻抗匹配的策略;研究了信號(hào)層間串?dāng)_的... 

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

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圖3.3時(shí)鐘信號(hào)負(fù)載端的并行端接

的每一個(gè)電源引腳都要有一個(gè) 0.01μF~0.1μF 的電容(如果一個(gè) IC 有多個(gè)電源引腳，并且離的很近，可以幾個(gè)電源引腳公用一個(gè)電容)，對(duì)于功耗比較大一點(diǎn)的 IC 另外還要有一個(gè) 10μF~100μF 的電解電容或鉭電容。SAS 擴(kuò)展器中對(duì)芯片的電源引腳去耦電容的選擇如圖 3.6 所示。

D 為傳輸線直徑，H 為線長(zhǎng)。從公式中可以得出結(jié)論：在電流回路上，離信號(hào)線越近的位置，電流的密度越大，這種情況下整個(gè)回路的面積最小，因而電感也最小。同時(shí)可以想象，信號(hào)線和回路如果離的很近，兩者電流大小近似相等，方向相反，在外部空間產(chǎn)生的磁場(chǎng)可以相互抵消，因此對(duì)外界的 EMI 也很小。所以，在疊層設(shè)置時(shí)最好保證每個(gè)信號(hào)走線層都有很近的地平面層相對(duì)應(yīng)，本課題 PCB 疊層設(shè)計(jì)如圖 4.2 所示。

【參考文獻(xiàn)】：
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