發(fā)布時(shí)間：2021-08-08 01:50

　　為了進(jìn)一步深入理解計(jì)算機(jī)后門耦合機(jī)理,開展了普通計(jì)算機(jī)機(jī)箱/電路板耦合實(shí)驗(yàn)研究,并和數(shù)值仿真結(jié)果進(jìn)行了比對(duì)。發(fā)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)測(cè)量結(jié)果與模擬仿真結(jié)果一致,本次實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn):在正面垂直極化入射時(shí),其耦合系數(shù)基本在0d B左右震蕩,且出現(xiàn)了相對(duì)強(qiáng)的耦合頻率點(diǎn)（在1GHz附近）;計(jì)算機(jī)機(jī)箱內(nèi)部感應(yīng)電壓的大小與目標(biāo)的電尺寸與照射微波的波長(zhǎng)有關(guān)。 

【文章來源】：2014年全國(guó)電磁兼容與防護(hù)技術(shù)學(xué)術(shù)會(huì)議論文集《微波學(xué)報(bào)》編輯部會(huì)議論文集

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【部分圖文】：

計(jì)算機(jī)機(jī)箱側(cè)面結(jié)構(gòu)實(shí)物圖

微波學(xué)報(bào)2014年6月Reset鍵power鍵圖1計(jì)算機(jī)機(jī)箱正面結(jié)構(gòu)實(shí)物圖圖2計(jì)算機(jī)機(jī)箱側(cè)面結(jié)構(gòu)實(shí)物圖圖3計(jì)算機(jī)機(jī)箱內(nèi)部布線、電路板結(jié)構(gòu)實(shí)物圖2實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)及布局2.1實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)微波輻照實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)組成框圖見圖4，將計(jì)算機(jī)機(jī)箱放置于微波輻射場(chǎng)中，通過示波器分別檢測(cè)微波輻射場(chǎng)的大小和微波耦合進(jìn)機(jī)箱后在中心位置感應(yīng)的電磁場(chǎng)大校實(shí)驗(yàn)中將記錄不同微波參數(shù)條件下放置機(jī)箱位置的空間輻射場(chǎng)的大小和計(jì)算機(jī)機(jī)箱內(nèi)探測(cè)器測(cè)試的感應(yīng)電壓信號(hào)。實(shí)驗(yàn)中所使用的儀器、微波器件等均經(jīng)過標(biāo)定，見圖5。微波源定耦機(jī)箱控制臺(tái)示波器微波暗室探測(cè)器低損耗電纜圖4微波輻照機(jī)箱實(shí)驗(yàn)測(cè)量系統(tǒng)組成框圖2.2測(cè)量位置垂直及水平極化方式的連續(xù)波輻照計(jì)算機(jī)機(jī)箱正面、背面。為了測(cè)量與仿真結(jié)果很好的比較，減小壁與探針對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，選擇測(cè)量機(jī)箱中心位置的電壓。在測(cè)量過程中由于入射位置和微波源定耦控制臺(tái)示波器微波暗室探測(cè)器低損耗電纜圖5微波輻照機(jī)箱實(shí)驗(yàn)輻射場(chǎng)標(biāo)定系統(tǒng)組成框圖極化的關(guān)系，在某些方向上感應(yīng)電壓很小，原則上只測(cè)量機(jī)箱內(nèi)部中心點(diǎn)感應(yīng)電壓較大的電壓值隨頻率的變化趨勢(shì)。3實(shí)驗(yàn)結(jié)果與仿真結(jié)果分析3.1連續(xù)波正面垂直極化在連續(xù)波正面垂直極化狀態(tài)下，機(jī)箱內(nèi)部中心位置的感應(yīng)場(chǎng)強(qiáng)隨頻率變化趨勢(shì)見圖6。21圖6正面入射垂直極化E從圖6的對(duì)比可以看出：測(cè)量結(jié)果與仿真結(jié)果的變化趨勢(shì)相似，對(duì)于計(jì)算機(jī)機(jī)箱中心位置，連續(xù)波正面垂直極化時(shí)，在1GHz~3GHz頻率范圍內(nèi)，其耦合系數(shù)變化較大，變化范圍在10dB~-10dB，在頻點(diǎn)1（在1GHz附近）上出現(xiàn)強(qiáng)耦合點(diǎn)；而在頻率2（2.2GHz）附近，耦合系數(shù)最校隨著頻率的增加，其耦合系數(shù)也在逐漸震蕩增加，且趨于穩(wěn)定，基本在0dB上下波動(dòng)�？傮w上看，測(cè)量結(jié)果與仿?

疎從圖6的對(duì)比可以看出：測(cè)量結(jié)果與仿真結(jié)果的變化趨勢(shì)相似，對(duì)于計(jì)算機(jī)機(jī)箱中心位置，連續(xù)波正面垂直極化時(shí)，在1GHz~3GHz頻率范圍內(nèi)，其耦合系數(shù)變化較大，變化范圍在10dB~-10dB，在頻點(diǎn)1（在1GHz附近）上出現(xiàn)強(qiáng)耦合點(diǎn)；而在頻率2（2.2GHz）附近，耦合系數(shù)最校隨著頻率的增加，其耦合系數(shù)也在逐漸震蕩增加，且趨于穩(wěn)定，基本在0dB上下波動(dòng)�？傮w上看，測(cè)量結(jié)果與仿真結(jié)果趨勢(shì)符合較好，耦合系數(shù)范圍也基本一致。3.2連續(xù)波正面水平極化在連續(xù)波正面水平極化狀態(tài)下，機(jī)箱內(nèi)部中心位置的感應(yīng)場(chǎng)強(qiáng)隨頻率變化趨勢(shì)見圖7。圖7正面入射水平極化E145

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]耦合孔對(duì)微波腔的影響研究[J]. 廖旭,任學(xué)藻,周自剛.  物理學(xué)報(bào). 2008(07)
[2]圓柱導(dǎo)體電磁散射問題分析[J]. 劉繼東,張德鋒,朱震,王華兵.  電光與控制. 2007(01)

碩士論文
[1]電磁脈沖對(duì)屏蔽機(jī)箱孔縫耦合及毀傷效應(yīng)研究[D]. 張茂磊.南京理工大學(xué) 2009
[2]微波脈沖與帶縫非金屬腔體、金屬腔體耦合的研究[D]. 馬飛.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2008



本文編號(hào)：3328968