海量的信息計(jì)算、存儲(chǔ)、傳輸及應(yīng)用正成為21世紀(jì)信息電子技術(shù)發(fā)展的鮮明特征。傳統(tǒng)硅基存儲(chǔ)技術(shù)已經(jīng)達(dá)到了7 nm尺寸的技術(shù)節(jié)點(diǎn)并且即將達(dá)到其性能的極限。隨著器件物理尺寸的減小,由于量子隧道效應(yīng)和來(lái)自附近存儲(chǔ)器單元的串?dāng)_導(dǎo)致器件性能降低和處理成本高昂,而可延展有機(jī)半導(dǎo)體材料被認(rèn)為是最有希望媲美無(wú)機(jī)材料成為一個(gè)新的電子產(chǎn)品形式的應(yīng)用方向。而基于有機(jī)非易失性場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器由于易于與邏輯電路集成、非破壞性讀取、可與柔性基底集成等優(yōu)勢(shì)對(duì)于開(kāi)發(fā)新型存儲(chǔ)器成為一種可行的方案。而海量的數(shù)據(jù)信息處理和存儲(chǔ)要求開(kāi)發(fā)大容量、高速、高密度的OFET存儲(chǔ)器,科研工作者致力于開(kāi)發(fā)大容量、高性能有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器,但是器件的存儲(chǔ)容量和存儲(chǔ)穩(wěn)定性有待提高以滿(mǎn)足高速準(zhǔn)確尋址。有機(jī)小分子半導(dǎo)體材料由于分子明確、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單易于提純、分子導(dǎo)電類(lèi)型可以定向設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn)而備受關(guān)注。本論文將從以下幾個(gè)方面開(kāi)展研究:（1）電荷存儲(chǔ)層材料的篩選;（2）存儲(chǔ)界面的調(diào)控;（3）器件制備工藝的優(yōu)化。該研究成果對(duì)于實(shí)現(xiàn)大容量、高性能有機(jī)納晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器提供了一種新的解決方案。主要研究?jī)?nèi)容如下:1、本文首先篩選出一系列具有優(yōu)良溶解性和成膜... 

【文章來(lái)源】：南京郵電大學(xué)江蘇省

【文章頁(yè)數(shù)】：94 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
專(zhuān)用術(shù)語(yǔ)注釋表
第一章 緒論
    1.1 引言
        1.1.1 有機(jī)光電子學(xué)的發(fā)展概述
        1.1.2 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件
    1.2 小分子的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)介
        1.2.1 小分子的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的材料的分類(lèi)
        1.2.2 小分子的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的器件結(jié)構(gòu)和工作原理
    1.3 二元混合物相分離的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
        1.3.1 相分離的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)介
        1.3.2 二元混合物垂直相分離的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)
    1.4 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)介
        1.4.1 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)分類(lèi)及特點(diǎn)
        1.4.2 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器的工作原理與性能參數(shù)
        1.4.3 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器制備、表征和測(cè)試
    1.5 本論文研究意義和挑戰(zhàn)及設(shè)計(jì)思路
        1.5.1 本論文的研究意義和遇到的挑戰(zhàn)
        1.5.2 本研究論文的設(shè)計(jì)思路
第二章 基于側(cè)鏈基團(tuán)效應(yīng)對(duì)器件存儲(chǔ)性能影響的研究
    2.1 引言
    2.2 實(shí)驗(yàn)部分
        2.2.1 實(shí)驗(yàn)材料
        2.2.2 器件的制備
        2.2.3 器件的表征方法
    2.3 基于TPP-OCH3作為電荷捕獲層的OFET存儲(chǔ)器
        2.3.1 TPP-OCH3作為電荷捕獲層的OFET存儲(chǔ)器的器件制備
        2.3.2 TPP-OCH3作為電荷捕獲層的OFET存儲(chǔ)器的電學(xué)性能
    2.4 基于TPP-CH作為電荷捕獲層的OFET存儲(chǔ)器
        2.4.1 TPP-CH3作為電荷捕獲層的OFET存儲(chǔ)器的器件制備
        2.4.2 TPP-CH3作為電荷捕獲層的OFET存儲(chǔ)器的電學(xué)性能
    2.5 基于TPP-H作為電荷捕獲層的OFET存儲(chǔ)器
        2.5.1 TPP-H作為電荷捕獲層的OFET存儲(chǔ)器的器件制備
        2.5.2 TPP-H作為電荷捕獲層的OFET存儲(chǔ)器的電學(xué)性能
    2.6 側(cè)鏈基團(tuán)效應(yīng)機(jī)制的研究
    2.7 本章小結(jié)
第三章 基于納米限域效應(yīng)對(duì)器件性能影響的研究
    3.1 引言
    3.2 實(shí)驗(yàn)部分
        3.2.1 實(shí)驗(yàn)材料及器件結(jié)構(gòu)
        3.2.2 小分子/彈性體二元混合物相分離電介體的制備
        3.2.3 器件的制備
        3.2.4 器件的表征與分析方法
    3.3 絕緣聚合物納米限域效應(yīng)對(duì)OFET存儲(chǔ)性能的影響
        3.3.1 不同的摻雜比例對(duì)存儲(chǔ)性能的影響
        3.3.2 相分離納米結(jié)構(gòu)陣列的表征
        3.3.3 相分離工藝的普適性的研究
        3.3.4 相分離納米陣列存儲(chǔ)機(jī)制的研究
    3.4 本章小結(jié)
第四章 基于P/N型摻雜有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器的研究
    4.1 引言
    4.2 實(shí)驗(yàn)部分
        4.2.1 實(shí)驗(yàn)材料
        4.2.2 器件的表征方法
    4.3 基于雙組分摻雜的OFET有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器
        4.3.1 器件的制備
        4.3.2 摻雜比例對(duì)器件的存儲(chǔ)性能的影響
    4.4 基于三組分摻雜的OFET有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器
        4.4.1 器件的制備
        4.4.2 摻雜比例對(duì)器件的存儲(chǔ)性能的影響
        4.4.3 電荷存儲(chǔ)機(jī)制的分析
    4.5 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
附錄1 補(bǔ)充數(shù)據(jù)
附錄2 攻讀碩士學(xué)位期間撰寫(xiě)的論文
附錄3 攻讀碩士學(xué)位期間申請(qǐng)的專(zhuān)利
附錄4 攻讀碩士學(xué)位期間參加的科研項(xiàng)目
致謝



本文編號(hào)：3154994