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納米接觸中的磁電阻效應

發(fā)布時間:2021-04-22 12:14
  由于磁電阻效應在硬盤驅(qū)動磁頭和磁隨機存取存儲器等方面的技術(shù)應用起著極其重要的作用,因而它是人們研究的熱點之一。1999年,彈道磁電阻效應(Ballistic magnetoresistance)的發(fā)現(xiàn)激起了人們對亞微米級的鐵磁性納米接觸的研究熱潮。用機械方法制作的納米接觸的磁電阻效應高達百分之幾百,他們將其歸因于傳導電子在納米接觸中形成的疇壁上的散射。最近,運用電化學方法沉積方法制備的納米接觸也被運用來研究彈道磁電阻效應,用這種方法獲得的磁電阻效應比機械方法制作的納米接觸的磁電阻效應還要大,但是用電化學沉積方法制作的納米接觸還存在一些問題,如:重復性差,穩(wěn)定性差,到目前為止對這些現(xiàn)象還沒有給出一個滿意的解釋。在本文中,我們給出了我們的實驗結(jié)果并對實驗結(jié)果作了系統(tǒng)的分析。 

【文章來源】:蘇州大學江蘇省

【文章頁數(shù)】:65 頁

【學位級別】:碩士

【文章目錄】:
中文摘要
Abstract
第一章 引言
    1.1 磁電阻概述
    1.2 磁電阻效應的應用
    1.3 本課題的研究背景
    1.4 本文的研究意義及主要內(nèi)容
    參考文獻
第二章 電鍍的基本原理
    2.1 電鍍概述
    2.2 鍍鎳
    參考文獻
第三章 電鍍法制備納米接觸
    3.1 針尖的制作
    3.2 樣品的制備
    3.3 電化學方法制作納米接觸
    3.4 本章小結(jié)
    參考文獻
第四章 實驗結(jié)果與結(jié)果分析
    4.1 測試方法
    4.2 實驗結(jié)果
    4.3 結(jié)果分析
    4.4 本章小結(jié)
    參考文獻
第五章 總結(jié)與研究展望
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致謝
中文詳細摘要



本文編號:3153757

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