信息的飛速發(fā)展對信息存儲和邏輯電路方面提出了更高的要求。傳統(tǒng)的硅基存儲器由于存儲密度低、加工成本高、器件制備工藝復(fù)雜以及材料自身限制等使其發(fā)展達(dá)到極限,已不能滿足信息存儲快速發(fā)展的需求。與硅基存儲器相比,有機(jī)聚合物存儲器具有諸多優(yōu)勢,如材料易加工、加工過程功耗低并且成本低、材料柔韌性好、可大面積制作、響應(yīng)快、可實現(xiàn)高密度存儲等,因此被認(rèn)為是下一代非易失存儲技術(shù)的最有力競爭者之一。另一方面,石墨烯作為存儲材料也能提供好的機(jī)械柔韌性、快速響應(yīng)時間、高開關(guān)比等特點(diǎn),并且可以實現(xiàn)微型化電路。因此基于有機(jī)聚合物/石墨烯的復(fù)合阻變式存儲器件研究有望集合二者優(yōu)點(diǎn),進(jìn)一步改善有機(jī)電存儲器件的綜合性能。本文通過不同的復(fù)合方法分別制備了磺化聚苯胺-氧化石墨烯復(fù)合材料和聚苯胺-氧化石墨烯復(fù)合材料,并將復(fù)合材料作為活性層制備了夾層存儲器件,表征并分析了復(fù)合器件的電存儲性能。本課題具體內(nèi)容如下:（1）采用簡單的物理共混法制備磺化聚苯胺（SPANI）和氧化石墨烯（GO）復(fù)合水分散液,并將其旋涂于ITO玻璃上作為活性層,蒸鍍上電極Al,得到夾層器件結(jié)構(gòu)Al/SPANI-GO/ITO。室溫環(huán)境下,通過電流-電壓（I-... 

【文章來源】：鄭州大學(xué)河南省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：65 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

典型的阻變非易失電雙穩(wěn)存儲器件結(jié)構(gòu)

圖 1.1 典型的阻變非易失電雙穩(wěn)存儲器件結(jié)構(gòu)易失存儲器的活性層薄都是納米級的薄膜厚度，薄存儲技術(shù)，提高了器件的存儲容量，因為薄膜層層堆獨(dú)立地通過周邊電路或底電路尋址。阻變非易失存大簡化了存儲器的設(shè)計與實施工藝，進(jìn)而降低了加儲能力和簡單驅(qū)動電路使得阻變非易失存儲器功率實現(xiàn)應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。

1 緒論DRAM 型存儲器的工作特征曲線如圖 1.3（c）所示，DRAM 型存儲器和WMRM 存儲器存儲特性相似，是易失性隨機(jī)存儲器，但是不同的是 DRAM 型存儲器在斷開電源后會由 ON 態(tài)立即恢復(fù)到 OFF 態(tài)。因此 DRAM 型存儲器有出易失性，但對信息具有寫入、讀取、擦除和重寫入的能力。此外，由于 DRAM型存儲器存儲密度較高、響應(yīng)速度較快，目前逐漸成為現(xiàn)代計算機(jī)主要的存儲器件[16]。

【參考文獻(xiàn)】：
博士論文
[1]D-A型電雙穩(wěn)態(tài)高分子功能材料的設(shè)計及其非易失性存儲效應(yīng)[D]. 張斌.華東理工大學(xué) 2013

碩士論文
[1]氧化石墨烯及其阻變存儲器的制備和性能研究[D]. 尹文杰.山東大學(xué) 2012



本文編號：3146837